স্যামসাংয়ের টেক্সাস কারখানায় ২ ন্যানোমিটার প্রক্রিয়ায় এইচবিএম বেস ডাই উৎপাদনের পরিকল্পনা, কথিত অর্ডারে এগিয়ে এএমডি

এআই মেমোরির সার্কিটের জন্য টেলরে দ্বিতীয় কারখানার পরিকল্পনা

স্যামসাং ইলেকট্রনিকস টেক্সাসের টেলরে তাদের দ্বিতীয় চিপ কারখানায় কৃত্রিম বুদ্ধিমত্তার মেমোরির জন্য উন্নত কম্পোনেন্ট তৈরি করার পরিকল্পনা করছে। ২০৩০ সালে ব্যাপক উৎপাদন শুরুর লক্ষ্য নির্ধারণ করা হয়েছে। প্রস্তাবিত কারখানায় ২ ন্যানোমিটার উৎপাদন প্রক্রিয়া ব্যবহার করা হবে, আয়তন হবে প্রায় ২৭ লাখ বর্গফুট এবং সেখানে উচ্চ ব্যান্ডউইথ মেমোরি বা এইচবিএমের স্তূপের নিচে বসানো বেস ডাই তৈরি হবে।

শিল্পসংশ্লিষ্ট সূত্রের দাবি, গ্রাহকেরা কারখানাটির পরিকল্পিত উৎপাদন সক্ষমতার পুরোটাই আগাম সংরক্ষণ করেছেন, যার বেশির ভাগ নিয়েছে এএমডি। সম্ভাব্য গ্রাহক হিসেবে এনভিডিয়ার নামও এসেছে। কারখানার প্রতিবেদন নিয়ে মন্তব্য করতে অস্বীকৃতি জানিয়েছে স্যামসাং; আর বুকিংয়ের তথ্যও স্বাধীনভাবে নিশ্চিত করা যায়নি। কোন গ্রাহক কতটা সক্ষমতা নিয়েছেন, চুক্তির মূল্য এবং ওয়েফার হিসেবে উৎপাদন সক্ষমতার বিস্তারিত প্রকাশ করা হয়নি।

এই প্রকল্প এআই মেমোরির ভেতরের লজিক সার্কিট তৈরির ক্রমবর্ধমান ব্যবসায় স্যামসাংকে প্রবেশের আরেকটি পথ করে দেবে। স্যামসাংয়ের মেমোরি বিভাগ তথ্য সংরক্ষণের চিপ তৈরি করে, আর ফাউন্ড্রি বিভাগ প্রসেসিং ও নিয়ন্ত্রণ সার্কিটযুক্ত চিপ উৎপাদন করে। আরও জটিল এইচবিএম নকশা এই দুই ব্যবসাকে কাছাকাছি নিয়ে আসছে।

তবে এনভিডিয়ার চাহিদা এই সুযোগকে জটিল করে তুলেছে। এআই প্রসেসর নকশাকারী প্রতিষ্ঠানটি তাদের কাস্টমাইজড এনভিএইচবিএম মেমোরির বেস ডাই তৈরিতে প্রতিদ্বন্দ্বী টিএসএমসির উৎপাদন প্রক্রিয়া ব্যবহারের জন্য স্যামসাং, এসকে হাইনিক্স ও মাইক্রনকে বলেছে বলে খবর এসেছে। ফলে স্যামসাংয়ের সামনে দুটি আলাদা বাণিজ্যিক পথ রয়েছে: এনভিডির জন্য টিএসএমসির কম্পোনেন্ট ব্যবহার করে মেমোরি তৈরি করা, আর এএমডিসহ যেসব গ্রাহক তাদের নিজস্ব প্রক্রিয়া বেছে নেবে, তাদের জন্য নিজেদের কারখানা ব্যবহার করা।

টেক্সাসের প্রস্তাব এই দুই পথকে আরও স্পষ্ট করে তুলেছে। অন্য কোনো প্রতিষ্ঠান বেস ডাই তৈরি করলেও স্যামসাং বড় মেমোরি সরবরাহকারী হিসেবে থাকতে পারে, পাশাপাশি নিজেদের প্রক্রিয়া বেছে নেওয়া গ্রাহকদের কাছ থেকে উৎপাদন আয় বাড়ানোর চেষ্টা করতে পারে।

টেক্সাসের কারখানায় কী তৈরি হবে

এইচবিএমে একাধিক মেমোরি চিপকে শক্তিশালী প্রসেসরের পাশে উল্লম্বভাবে স্তূপ করা হয়। এতে অল্প দূরত্বে বিপুল পরিমাণ তথ্য আদান-প্রদান করা যায়, ফলে এআই প্রসেসরগুলো হিসাবের জন্য প্রয়োজনীয় তথ্য পায়। ব্যান্ডউইথ বলতে নির্দিষ্ট সময়ে কত তথ্য চলাচল করতে পারে তা বোঝায়, মেমোরিতে কত তথ্য রাখা যায় তা নয়।

ডাই হলো ইলেকট্রনিক সার্কিট থাকা সিলিকনের একটি পৃথক টুকরা। এইচবিএম স্তূপে মেমোরির মূল ডাইগুলো তথ্য সংরক্ষণ করে। নিচের বেস ডাই সংযোগ ও লজিকের কাজ করে, যা স্তূপটিকে প্রসেসরের সঙ্গে যোগাযোগে সহায়তা করে।

স্যামসাংয়ের পরিকল্পনা অনুযায়ী, টেলরে তৈরি বেস ডাইয়ের সঙ্গে দক্ষিণ কোরিয়ায় উৎপাদিত ডিআরএএম যুক্ত করা হবে। ডিআরএএম হলো কার্যকর মেমোরি, যা কম্পিউটার ব্যবস্থা চালু থাকাকালে সাময়িকভাবে তথ্য ধরে রাখে। ফলে প্রস্তাবিত উৎপাদন শৃঙ্খলে যুক্তরাষ্ট্রের লজিক চিপ উৎপাদনের সঙ্গে কোরিয়ার মেমোরি উৎপাদনের সংযোগ তৈরি হবে।

শিল্পসংশ্লিষ্ট সূত্রের তথ্য অনুযায়ী, ব্যাপক উৎপাদনে থাকা স্যামসাংয়ের এইচবিএম৪ পণ্য এবং এইচবিএম৪ই নমুনায় বর্তমানে ৪ ন্যানোমিটার প্রক্রিয়ায় তৈরি বেস ডাই ব্যবহার করা হয়। টেলর ফ্যাব ২-এ ২ ন্যানোমিটার প্রক্রিয়া ব্যবহার করা হবে; ভবিষ্যৎ পণ্যে প্রয়োজন হলে আরও উন্নত প্রক্রিয়াও ব্যবহারের সুযোগ থাকবে। এসব প্রক্রিয়ার নাম দিয়ে উৎপাদন প্রযুক্তির প্রজন্ম বোঝানো হয়, যার মাধ্যমে ছোট চিপে ক্রমে আরও জটিল সার্কিট বসানো যায়।

নির্মাণের ধাপ গড়াবে ২০৩০ সাল পর্যন্ত

টেলর ফ্যাব ২-এর আয়তন প্রায় ২ লাখ ৫০ হাজার বর্গমিটার হওয়ার পরিকল্পনা রয়েছে, যা প্রথম টেলর কারখানার প্রায় দেড় গুণ। কারখানার জায়গা প্রস্তুত ও মাটি সমতল করার কাজ চলছে বলে খবর এসেছে। বড় নির্মাণকাজ শুরু হওয়ার কথা ২০২৬ সালের নভেম্বরের শুরুতে।

সময়সূচিতে ভবন নির্মাণ শুরুর সময়কে উৎপাদন সরঞ্জাম স্থাপন এবং বিক্রয়যোগ্য চিপ উৎপাদন শুরুর সময় থেকে আলাদা রাখা হয়েছে। চিপ কারখানার ভবন তৈরি হওয়ার পরেও সেখানে বিপুল পরিমাণ সরঞ্জাম স্থাপন ও উৎপাদন প্রক্রিয়া প্রস্তুত করতে হয়।

• মার্চ ২০২৬: দ্বিতীয় কারখানার অনুমতির সঙ্গে সংশ্লিষ্ট প্রকৌশল সহায়তা অনুমোদন করে টেলর সিটি কাউন্সিল।
• নভেম্বর ২০২৬-এর শুরু: টেলর ফ্যাব ২-এ বড় নির্মাণকাজ শুরুর সময় নির্ধারিত।
• ২০২৭: প্রথম টেলর কারখানায় ব্যাপক উৎপাদন শুরুর প্রত্যাশা।
• ফেব্রুয়ারি ২০২৯: দ্বিতীয় কারখানায় সরঞ্জাম স্থাপন শুরুর প্রত্যাশা।
• ২০৩০: টেলর ফ্যাব ২-এ ব্যাপক উৎপাদন শুরুর সময় নির্ধারিত।

এই সময়সূচি অনুযায়ী, এআই মেমোরির তাৎক্ষণিক চাহিদা মেটানোর দৌড়ের কয়েক বছর পর চালু হবে দ্বিতীয় কারখানাটি। ভবিষ্যৎ প্রজন্মের পণ্যে আরও জটিল সার্কিটযুক্ত বেস ডাই ব্যবহারের প্রত্যাশা থেকে কারখানাটির বাণিজ্যিক লক্ষ্য নির্ধারিত হয়েছে।

প্রস্তাবিত সম্প্রসারণে এএমডি কেন গুরুত্বপূর্ণ

টেলর ফ্যাব ২-এর কথিত বুকিংয়ের বেশির ভাগই এএমডির। শিল্পসংশ্লিষ্ট সূত্রের ইঙ্গিত, শুধু এএমডির চাহিদাই কারখানাটির পরিকল্পিত সক্ষমতার ওপর চাপ সৃষ্টি করতে পারে। ফলে স্যামসাংয়ের প্রস্তাবিত সম্প্রসারণে প্রতিষ্ঠানটি কেন্দ্রীয় ভূমিকা পাচ্ছে।

এএমডি ও অন্যান্য গ্রাহকের জন্য কাস্টমাইজড এইচবিএম সরবরাহে নিজেদের সমন্বিত উৎপাদন মডেল চালু রাখতে চায় স্যামসাং। এই ব্যবস্থায় অন্য কোনো ফাউন্ড্রি থেকে বেস ডাই না কিনে স্যামসাংয়ের নিজস্ব ব্যবসাগুলো মেমোরির মূল ডাই ও বেস ডাই—দুটিই তৈরি করবে।

এই পদ্ধতিতে স্যামসাংয়ের মেমোরি ও ফাউন্ড্রি—দুই বিভাগেই আয় আসতে পারে। এএমডির জন্য উৎপাদন সক্ষমতা সংরক্ষিত থাকলে এআই চিপ ব্যবসা বাড়ার সঙ্গে সঙ্গে উৎপাদনসূচিতে জায়গা নিশ্চিত হবে। টেলরের কথিত অর্ডারগুলোতে ঠিক কোন মেমোরি নকশা অন্তর্ভুক্ত, তা জানানো হয়নি।

প্রসেসর কীভাবে তথ্য পায়, তা উন্নত করার বৃহত্তর উদ্যোগের অংশ এই সম্পর্ক। ২০২৬ সালের অক্টোবরে এআই অবকাঠামো নিয়ে উপস্থাপনায় স্যামসাং এএমডির সঙ্গে মেমোরি পুলিং সহযোগিতা তুলে ধরে; এর সঙ্গে ছিল কাস্টমাইজড এইচবিএম ও অন্যান্য মেমোরি প্রযুক্তি। টেলরের পরিকল্পনা ওই উদ্যোগের ভিন্ন একটি অংশ নিয়ে: ভবিষ্যৎ এইচবিএম স্তূপের নিচের সিলিকন তৈরি করা।

এনভিডিয়া কেন সরবরাহকারীদের টিএসএমসি ব্যবহার করতে বলছে

এনভিডিয়ার কথিত উৎপাদন-সংক্রান্ত শর্ত এইচবিএম উৎপাদনের এমন একটি ধাপে টিএসএমসিকে যুক্ত করবে, যা স্যামসাং ঐতিহ্যগতভাবে নিজেদের কারখানায় করে এসেছে। ২০২৬ সালের ১৮ অক্টোবরের শিল্পসংশ্লিষ্ট সূত্রের দাবি, এনভিডিয়া স্যামসাং, এসকে হাইনিক্স ও মাইক্রনকে এনভিএইচবিএমের বেস ডাই তৈরিতে টিএসএমসির ৩ ন্যানোমিটার প্রক্রিয়া ব্যবহারের অনুরোধ করেছে। মেমোরির মূল ডাইয়ের জন্য ব্যবহার করা হবে ডিআরএএম উৎপাদন প্রযুক্তির ষষ্ঠ প্রজন্ম।

এনভিডিয়া চায়, সরবরাহকারীদের মেমোরি আরও সামঞ্জস্যপূর্ণভাবে কাজ করুক। বেস ডাইয়ের জন্য একই উৎপাদন প্রক্রিয়া ব্যবহার করলে পণ্যগুলোর মধ্যে পার্থক্য কমতে পারে এবং এনভিডিয়া প্রসেসরের সঙ্গে ব্যবহারের জন্য প্রতিটি নির্মাতার মেমোরি অনুমোদনে প্রয়োজনীয় প্রকৌশল কাজও কমতে পারে।

খবরে বলা হয়েছে, অভ্যন্তরীণ পর্যালোচনার পর স্যামসাং এই শর্ত মেনে নিয়েছে। এর ফলে টিএসএমসির সঙ্গে আগের সহযোগিতা আরও বিস্তৃত হলো। আগে সহযোগিতার লক্ষ্য ছিল টিএসএমসির চিপ প্যাকেজিং প্রযুক্তির সঙ্গে স্যামসাংয়ের মেমোরির সামঞ্জস্য নিশ্চিত করা; এখন তা এইচবিএমের অপরিহার্য একটি কম্পোনেন্ট উৎপাদনেও গড়িয়েছে।

অক্টোবরে প্রকাশিত এনভিডিয়ার বেস ডাই-সংক্রান্ত শর্ত ব্যাখ্যা করে, টেক্সাসে স্যামসাংয়ের পরিকল্পনা ও টিএসএমসিকে ব্যবহার করার সিদ্ধান্ত একই সঙ্গে কীভাবে সম্ভব। টিএসএমসির বেস ডাইযুক্ত মেমোরি এনভিডিয়াকে সরবরাহ করার পাশাপাশি অন্য গ্রাহকদের কাছ থেকে নিজেদের উৎপাদন-সংক্রান্ত অর্ডার পাওয়ার চেষ্টা করতে পারে স্যামসাং।

এনভিএইচবিএম মেমোরিতে আরও নিয়ন্ত্রণ সার্কিট যুক্ত করছে

এনভিএইচবিএমের নকশায় মূল প্রসেসর ও তার পাশের মেমোরির মধ্যে কাজের ভাগ বদলে যায়। এতে তথ্য চলাচল পরিচালনাকারী সার্কিট, অর্থাৎ মেমোরি কন্ট্রোলার, গ্রাফিকস প্রসেসিং ইউনিট থেকে এইচবিএমের বেস ডাইয়ে সরিয়ে নেওয়া হয়।

এতে মূল প্রসেসরে আরও বেশি কম্পিউটিং সার্কিট বসানোর জায়গা পায় এনভিডিয়া। বেস ডাইয়ের ভূমিকা বেড়ে যাওয়ায় পুরো ব্যবস্থায় এর উৎপাদন প্রযুক্তির গুরুত্বও বাড়ে। সীমিত জায়গায় অতিরিক্ত লজিক বসানো উন্নত উৎপাদন প্রক্রিয়া ব্যবহারের একটি কারণ।

উৎপাদনের ফলনও খরচ ও সরবরাহকে প্রভাবিত করে। ফলন হলো সিলিকন ওয়েফারে তৈরি চিপের যে অংশ নির্ধারিত মান পূরণ করে। শিল্পের অনুমানে, টিএসএমসির ৩ ন্যানোমিটার প্রক্রিয়ার ফলন ৯০ শতাংশের বেশি; স্যামসাংয়ের ২ ন্যানোমিটার প্রক্রিয়ায় তা প্রায় ৬০ শতাংশ। এই অনুমান ভিন্ন দুটি প্রক্রিয়া নিয়ে, তবে বেশি ব্যবহারযোগ্য চিপ দিতে পারে এমন প্রক্রিয়ার বাণিজ্যিক আকর্ষণ বুঝতে সাহায্য করে।

নিজস্ব উৎপাদন প্রযুক্তিতে এনভিএইচবিএমের বেস ডাই তৈরির সম্ভাবনাও যাচাই করছে স্যামসাং। টিএসএমসির সক্ষমতার চেয়ে চাহিদা বেশি হলে বিকল্প সরবরাহের সুযোগ তৈরি হতে পারে। টিএসএমসিকে ঘিরে এনভিডিয়ার কথিত পছন্দের কারণে টেলরে এনভিডিয়ার সম্ভাব্য ভূমিকা ভবিষ্যতের সরবরাহ-সংক্রান্ত সিদ্ধান্তের ওপর নির্ভর করছে। এনভিডিয়া কয়েক প্রজন্মের প্রসেসর বিক্রি চালিয়ে গেলে প্রচলিত এইচবিএম ও এনভিএইচবিএম পাশাপাশি থাকতে পারে।

সরবরাহের চেয়ে দ্রুত বাড়ছে মেমোরির চাহিদা

ইউবিএসের পূর্বাভাস অনুযায়ী, ২০২৭ সালে এইচবিএমের চাহিদা হবে প্রায় ৬১.৫ বিলিয়ন গিগাবিট, যা আগের বছরের তুলনায় ৯১ শতাংশ বেশি। প্রত্যাশিত প্রায় ৫৪.৬ বিলিয়ন গিগাবিট সরবরাহে ৬.৯ বিলিয়ন গিগাবিট ঘাটতি থাকবে, যা পূর্বাভাসে থাকা চাহিদার প্রায় ১১ শতাংশ।

এই পরিসংখ্যান তৈরি এইচবিএম স্তূপের সংখ্যা নয়, বরং মেমোরির পরিমাণ বোঝায়। নতুন কারখানায় উৎপাদন শুরুর অনেক আগেই প্রসেসর নির্মাতারা কেন উৎপাদন সক্ষমতার নিশ্চয়তা চাইছে, তা এই তুলনা থেকে বোঝা যায়।

এনভিডিয়ার ভেরা রুবিনের উৎপাদন শুরুর ফলে উন্নত মেমোরির তাৎক্ষণিক চাহিদার আরেকটি উৎস তৈরি হচ্ছে। পরবর্তী প্রজন্মের মেমোরি উন্নয়নের পাশাপাশি এই প্ল্যাটফর্মের জন্য এইচবিএম৪ সরবরাহের প্রতিযোগিতা করছে স্যামসাং, এসকে হাইনিক্স ও মাইক্রন।

ইউবিএসের পূর্বাভাসে বর্ণিত ঘাটতির সময়ের পরে, ২০৩০ সালে টেলর ফ্যাব ২ চালুর লক্ষ্য নির্ধারণ করা হয়েছে। এআই কম্পিউটিংয়ের আরও প্রবৃদ্ধি ও মেমোরির নকশায় পরিবর্তনের মধ্য দিয়ে গড়ে ওঠা ভবিষ্যৎ বাজারের জন্য কাজ করবে কারখানাটি। তাই স্যামসাংয়ের পরিকল্পনা কেবল উৎপাদন সক্ষমতায় বিনিয়োগ নয়; ভবিষ্যতের মেমোরি ব্যবস্থার কোন অংশগুলো তারা তৈরি করতে চায়, সে সিদ্ধান্তও।

প্রথম টেলর কারখানাই সূচনাবিন্দু

স্যামসাংয়ের প্রথম টেলর কারখানায় দ্বিতীয়টির তিন বছর আগে, ২০২৭ সালে উৎপাদন শুরুর প্রত্যাশা রয়েছে। এআই৫ ও এআই৬ চিপ তৈরির জন্য ১৬.৫ বিলিয়ন ডলারের কথিত চুক্তিতে টেসলাকে এর প্রধান গ্রাহক হিসেবে চিহ্নিত করা হয়েছে।

প্রথম কারখানার সঙ্গে সংশ্লিষ্ট কথিত বিনিয়োগ ১৭ বিলিয়ন ডলার থেকে বেড়ে ৩৭ বিলিয়ন ডলারে দাঁড়িয়েছে। প্রকল্পটিতে যুক্তরাষ্ট্রের চিপস আইনের আওতায় ৪.৭৫ বিলিয়ন ডলারের সহায়তাও রয়েছে। টেলরের বৃহত্তর সাইটটি ১,২৬৮ একরজুড়ে বিস্তৃত এবং সেখানে সর্বোচ্চ ১০টি কারখানা নির্মাণের জায়গা আছে।

দুটি কারখানার ভূমিকা আলাদা হবে। প্রথমটি এআই প্রসেসর উৎপাদনের সঙ্গে যুক্ত, আর দ্বিতীয়টিকে উন্নত মেমোরির জন্য লজিক কম্পোনেন্ট তৈরিতে কাজে লাগানোর পরিকল্পনা রয়েছে। এতে যুক্তরাষ্ট্রে স্যামসাংয়ের তৈরি করতে পারা এআই-সংশ্লিষ্ট সিলিকন পণ্যের পরিসর বাড়বে।

প্রস্তাবিত এইচবিএম উৎপাদন শৃঙ্খলে দক্ষিণ কোরিয়াও থাকবে, কারণ স্যামসাং সেখানে ডিআরএএম তৈরির পরিকল্পনা করেছে। টেক্সাসের সম্প্রসারণে যুক্তরাষ্ট্র ও দুই কোরিয়ার মধ্যে উৎপাদন ভাগ হবে; যুক্তরাষ্ট্রের বেস ডাইয়ের সঙ্গে যুক্ত হবে কোরিয়ায় তৈরি মেমোরি।

ফাউন্ড্রি ব্যবসা শক্তিশালী করতে চায় স্যামসাং

স্যামসাং জানিয়েছে, তৃতীয় প্রান্তিকে এইচবিএম লজিক ডাই বিক্রি এবং বড় ক্লাউড অপারেটর ও অন্যান্য এআই গ্রাহকের কাছ থেকে পাওয়া উন্নত ২ ন্যানোমিটার অর্ডারের কারণে তাদের ফাউন্ড্রি আয় বেড়েছে। তা সত্ত্বেও ব্যবসাটি লোকসানে ছিল।

২০২৬ সালে ২ ন্যানোমিটার অর্ডার ১৩০ শতাংশের বেশি বাড়বে বলে পূর্বাভাস দিয়েছে প্রতিষ্ঠানটি। কিউউম সিকিউরিটিজের প্রত্যাশা, চতুর্থ প্রান্তিকে ফাউন্ড্রি বিভাগ আবার মুনাফায় ফিরবে। পুরো সক্ষমতা আগাম সংরক্ষিত থাকলে টেলরের দ্বিতীয় কারখানা স্যামসাংয়ের এই পুনরুদ্ধার প্রচেষ্টায় সহায়তা করবে এবং উৎপাদনের দীর্ঘমেয়াদি ধারাবাহিকতা নিশ্চিত করবে।

অন্য সম্ভাব্য গ্রাহকেরা এখনো প্রাথমিক পর্যায়ে রয়েছে। শিল্প পর্যবেক্ষকেরা ব্রডকমকে টেলরের এইচবিএম বেস ডাইয়ের সম্ভাব্য ক্রেতা হিসেবে দেখছেন। কাস্টম চিপ নকশাকারী তাইওয়ানের ফ্যারাডের মাধ্যমে যুক্তরাষ্ট্রের এক ক্লাউড গ্রাহকের জন্য সম্ভাব্য ২ ন্যানোমিটার এআই চিপ প্রকল্প নিয়েও কাজ করছে স্যামসাং। তবে ওই প্রকল্পের উৎপাদন অর্ডার নিশ্চিত হয়নি।

এএমডির কথিত চাহিদা টেক্সাস পরিকল্পনায় সবচেয়ে স্পষ্ট গ্রাহক-লক্ষ্য তৈরি করেছে। এনভিডিয়া আরও জটিল সুযোগ, কারণ তাদের মেমোরি-সংক্রান্ত চাহিদা আপাতত বেস ডাই উৎপাদনকে টিএসএমসির দিকে নিয়ে যাচ্ছে। প্রতিটি গ্রাহকের পছন্দের নকশা ও উৎপাদন-সংক্রান্ত শর্ত পূরণ করে নিজেদের মেমোরির চাহিদাকে নিজস্ব কারখানায় আরও কাজ পাওয়ার সুযোগে রূপান্তর করাই স্যামসাংয়ের চ্যালেঞ্জ।

মূল বিষয়গুলো

• স্যামসাংয়ের দ্বিতীয় টেলর কারখানায় ২ ন্যানোমিটার প্রক্রিয়ায় এইচবিএম বেস ডাই তৈরির পরিকল্পনা রয়েছে; ২০৩০ সালে ব্যাপক উৎপাদন শুরুর লক্ষ্য।
• শিল্পসংশ্লিষ্ট সূত্রের দাবি, পরিকল্পিত সক্ষমতার পুরোটাই বুক করা হয়েছে, যার বেশির ভাগ এএমডির জন্য। স্যামসাং প্রতিবেদনটি নিশ্চিত করেনি।
• বড় নির্মাণকাজ ২০২৬ সালের নভেম্বরের শুরুতে শুরুর কথা; ২০২৯ সালের ফেব্রুয়ারি থেকে সরঞ্জাম স্থাপনের পরিকল্পনা রয়েছে।
• স্যামসাং টেক্সাসে তৈরি বেস ডাইয়ের সঙ্গে দক্ষিণ কোরিয়ায় উৎপাদিত ডিআরএএম যুক্ত করার পরিকল্পনা করেছে।
• এনভিডিয়া তাদের তিন প্রধান এইচবিএম সরবরাহকারীকে এনভিএইচবিএম বেস ডাইয়ের জন্য টিএসএমসির ৩ ন্যানোমিটার প্রক্রিয়া ব্যবহারের অনুরোধ করেছে বলে খবর এসেছে।
• ইউবিএসের পূর্বাভাস, ২০২৭ সালে এইচবিএমের চাহিদা হবে ৬১.৫ বিলিয়ন গিগাবিট, যেখানে প্রত্যাশিত সরবরাহ ৫৪.৬ বিলিয়ন গিগাবিট।
• ফাউন্ড্রি বিভাগকে মুনাফায় ফেরানোর চেষ্টার পাশাপাশি উন্নত উৎপাদন ব্যবসায় আরও অর্ডার পেতে এই সম্প্রসারণ স্যামসাংকে সহায়তা করবে।