HBM5, AMD মেমোরি পুলিং ও দ্রুততর স্টোরেজ নিয়ে এআই মেমোরি কৌশল বিস্তৃত করছে স্যামসাং

প্রসেসিং গতির পাশাপাশি মেমোরি ধারণক্ষমতাকেও গুরুত্ব দিচ্ছে স্যামসাং

স্যামসাং ইলেকট্রনিকস উচ্চ ব্যান্ডউইডথ মেমোরির বাইরেও এআই অবকাঠামো কৌশল বিস্তৃত করছে। HBM5 ও কাস্টমাইজড মেমোরির পাশাপাশি শেয়ার্ড সার্ভার মেমোরি নিয়ে এএমডির সঙ্গে সহযোগিতা এবং ডেটা প্রসেসিংয়ের কিছু অংশ এসএসডিতে সরিয়ে নেওয়ার স্টোরেজ প্রযুক্তিও এতে যুক্ত হয়েছে। ক্যালিফোর্নিয়ার সান হোসে ম্যাকএনারি কনভেনশন সেন্টারে ১২ থেকে ১৫ অক্টোবর অনুষ্ঠেয় OCP Global Summit 2026-এ কোম্পানিটি এই কৌশল তুলে ধরেছে।

মেমোরি স্তরবিন্যাসের অন্যান্য প্রযুক্তি নিয়েই সবচেয়ে সুনির্দিষ্ট পারফরম্যান্সের দাবি করা হয়েছে। স্যামসাংয়ের ভাষ্য, ইলাস্টিক CXL মেমোরি বরাদ্দের মাধ্যমে কোনো এআই মডেলের প্রথম টোকেন তৈরির আগের সময় সর্বোচ্চ ৩৮% কমানো যায়, LPDDR5X প্রসেসিং-ইন-মেমোরি ব্যবহারে ইনফারেন্স পারফরম্যান্স সর্বোচ্চ তিন গুণ হয় এবং এসএসডিতে ধারাবাহিক রিডের গতি ২৮.৪ GB/s-এ পৌঁছায়। এগুলো নির্দিষ্ট মূল্যায়ন বা প্রদর্শনীর ফল, প্রতিটি এআই স্থাপনার জন্য নিশ্চয়তা নয়।

স্যামসাংয়ের সম্মেলনের আনুষ্ঠানিক পৃষ্ঠাতে তাদের কৌশলকে গতি, মেমোরি সম্প্রসারণ ও ডেটা সংরক্ষণ—এই তিন বিষয়ের ভিত্তিতে সাজানো হয়েছে। প্রদর্শিত পণ্যের মধ্যে রয়েছে HBM4E, LPDDR5X-PIM, CMM-D MD310 মেমোরি মডিউল, SOCAMM2 সার্ভার মেমোরি এবং PM1763 ও BM1773 এসএসডি।

স্যামসাংয়ের তথ্য অনুযায়ী, মেমোরি বিজনেস অ্যাপ্লিকেশন ইঞ্জিনিয়ারিং টিমের প্রধান ও করপোরেট ভাইস প্রেসিডেন্ট হোজুন শিম ১২ অক্টোবরের একটি নির্বাহী অধিবেশনে এই তিন অগ্রাধিকার তুলে ধরার কথা ছিল। প্রতিবেদনে উপস্থাপনাটিকে প্রসেসর, মেমোরি ও স্টোরেজকে আলাদাভাবে উন্নত করার পরিবর্তে একসঙ্গে অপ্টিমাইজ করার বৃহত্তর উদ্যোগের সূচনা হিসেবে বর্ণনা করা হয়েছে।

প্রশিক্ষিত কোনো মডেল যখন উত্তর তৈরি করে, তখন ইনফারেন্সের সময় এই পার্থক্য গুরুত্বপূর্ণ হয়ে ওঠে। দ্রুতগতির অ্যাক্সিলারেটরও ডেটার জন্য অপেক্ষা করতে পারে, কথোপকথন দীর্ঘ হলে মেমোরি ফুরিয়ে যেতে পারে, কিংবা স্টোরেজ থেকে তথ্য আনতে দেরি হতে পারে। এসব সীমাবদ্ধতার প্রতিটির জন্য আলাদা প্রযুক্তির প্রস্তাব দিচ্ছে স্যামসাং।

বিস্তৃত গতি কৌশলের শিরোনামে HBM5

প্রদর্শনী নিয়ে প্রকাশিত প্রতিবেদনে স্যামসাংয়ের গতি বাড়ানোর উদ্যোগের মধ্যে অষ্টম প্রজন্মের উচ্চ ব্যান্ডউইডথ মেমোরি হিসেবে বর্ণিত HBM5, কাস্টমাইজড HBM ও zHBM-এর কথা বলা হয়েছে। উচ্চ ব্যান্ডউইডথ মেমোরি বহু সমান্তরাল সংযোগের মাধ্যমে অ্যাক্সিলারেটরে বিপুল পরিমাণ ডেটা সরবরাহ করে। কাস্টমাইজড সংস্করণগুলো নির্দিষ্ট গ্রাহকের সিস্টেমের চাহিদা অনুযায়ী তৈরি করার লক্ষ্য রাখে।

আনুষ্ঠানিক পণ্যের তালিকায় HBM5 নয়, HBM4E-এর নাম রয়েছে। অন্য কয়েকটি প্রতিবেদনে প্রদর্শনীতে HBM4E ও HBM5-এর ধারণাভিত্তিক মডেল দেখানোর কথা বলা হয়েছে। এই পার্থক্যটি গুরুত্বপূর্ণ: প্রদর্শনী বা ধারণাভিত্তিক উপস্থাপনা থেকে কোনো পণ্য বাজারে এসেছে বলে প্রমাণ হয় না, আর স্যামসাংয়ের সম্মেলন-পৃষ্ঠায় HBM5-এর বাণিজ্যিক উন্মোচনের তারিখ বা বিস্তারিত পারফরম্যান্স স্পেসিফিকেশনও দেওয়া নেই।

প্রসেসিং গতির সবচেয়ে জোরালো সংখ্যাগত প্রমাণ LPDDR5X-PIM থেকে এসেছে। প্রসেসিং-ইন-মেমোরি প্রযুক্তিতে কিছু গণনা মেমোরি ডিভাইসের ভেতরেই হয়, ফলে মেমোরি ও আলাদা প্রসেসরের মধ্যে বারবার ডেটা স্থানান্তরের প্রয়োজন কমে। স্যামসাং বলছে, তাদের নকশায় প্রতিটি মেমোরি ব্যাংকে প্রসেসিং ইউনিট যুক্ত করা হয়েছে।

স্যামসাং এজ এআই অ্যাক্সিলারেটরে Llama 3.1 8B ব্যবহার করে চালানো মূল্যায়নে স্যামসাংয়ের দাবি, প্রচলিত LPDDR5X-এর তুলনায় কার্যকর ব্যান্ডউইডথ সর্বোচ্চ আট গুণ, প্রতি সেকেন্ডে তৈরি টোকেনের সংখ্যা সর্বোচ্চ তিন গুণ এবং রানটাইম সর্বোচ্চ ২.২ গুণ কমেছে। এসব পরিসংখ্যান ওই অ্যাক্সিলারেটর ও মডেলটির ক্ষেত্রে প্রযোজ্য; HBM5 বা এএমডির মেমোরি প্রদর্শনীর ফল নয়।

প্রদর্শিত পণ্যের মধ্যে SOCAMM2-ও ছিল, যা LPDDR ভিত্তিক সার্ভার মেমোরি মডিউল। সব মিলিয়ে প্রদর্শনীগুলো দেখায়, স্যামসাংয়ের গতি কৌশলে অ্যাক্সিলারেটর মেমোরির পাশাপাশি কম বিদ্যুৎ খরচের মেমোরি প্রযুক্তিও রয়েছে। তবে সম্মেলনের পৃষ্ঠায় প্রতিটি পণ্যের জন্য তুলনাযোগ্য বেঞ্চমার্কের ফল দেওয়া হয়নি।

নমনীয় মেমোরি ধারণক্ষমতা বাড়াতে এএমডির সঙ্গে সহযোগিতা

স্যামসাং ও এএমডি স্যামসাংয়ের CMM-D প্রযুক্তি ব্যবহার করে CXL মেমোরি সম্প্রসারণ প্রদর্শন করেছে। CXL-এর পূর্ণরূপ Compute Express Link। এটি প্রসেসর ও অন্যান্য ডিভাইসকে অতিরিক্ত মেমোরির সঙ্গে যুক্ত করে, যাতে সিস্টেমে সরাসরি স্থাপিত মেমোরির বাইরে গিয়েও ধারণক্ষমতা বাড়ানো যায়।

CMM-D হলো CXL ভিত্তিক DRAM মেমোরি মডিউল। পুলড কনফিগারেশনে একাধিক সিস্টেম সংযুক্ত মেমোরি রিসোর্স থেকে ধারণক্ষমতা ব্যবহার করতে পারে; সেই ধারণক্ষমতা স্থায়ীভাবে কোনো নির্দিষ্ট সার্ভারের জন্য বরাদ্দ থাকে না। স্যামসাংয়ের ভাষ্য, তাদের এএমডি সহযোগিতায় CXL যে মেমোরির ধারণক্ষমতা ও ব্যান্ডউইডথ বাড়ানোর পাশাপাশি CPU কোরের ডেটার জন্য অপেক্ষার সময় কমাতে পারে, তা যাচাই করা হয়েছে।

এআই এজেন্ট একাধিক মডেল বা কাজ চালালে সমস্যাটি আরও প্রকট হয়। স্যামসাংয়ের আনুষ্ঠানিক বিবরণে বলা হয়েছে, এজেন্টের কাজ CPU ব্যবহার দ্রুত বাড়াতে পারে, অথচ প্রসেসর কোরের সংখ্যা বাড়ার সঙ্গে তাল মিলিয়ে মেমোরির ধারণক্ষমতা বাড়ে না।

আলাদা একটি CMM-D পুলিং প্রদর্শনীতে GPU সার্ভারে একাধিক বৃহৎ ভাষা মডেলের ইনস্ট্যান্সের মধ্যে ইলাস্টিক বরাদ্দ ব্যবহার করা হয়েছে। স্যামসাংয়ের দাবি, এতে প্রথম টোকেন তৈরির সময়, অর্থাৎ TTFT, সর্বোচ্চ ৩৮% কমেছে এবং স্ট্যাটিক বরাদ্দের তুলনায় গুডপুট সর্বোচ্চ ৩.৩ গুণ বেড়েছে। TTFT দিয়ে উত্তর শুরু হওয়ার আগের অপেক্ষার সময় মাপা হয়; আর গুডপুট দিয়ে মূল্যায়নের নির্ধারিত শর্তে সরবরাহ করা কার্যকর কাজের পরিমাণ বোঝানো হয়।

এই ফলকে এএমডির প্রদর্শনীর নিজস্ব সংখ্যাগত ফল হিসেবে দেখা উচিত নয়। আনুষ্ঠানিক পৃষ্ঠায় এএমডির যাচাই এবং ইলাস্টিক বরাদ্দের বেঞ্চমার্ক আলাদাভাবে বর্ণনা করা হয়েছে। বিভিন্ন মডেল, সার্ভার কনফিগারেশন বা সেবার লক্ষ্যমাত্রায় এই উন্নতির পরিমাণ কীভাবে বদলাবে, তা নির্ধারণের মতো পর্যাপ্ত তথ্যও দেওয়া হয়নি।

KV cache মেমোরি সম্প্রসারণকে স্টোরেজের সঙ্গে যুক্ত করে

স্যামসাংয়ের মেমোরি ও স্টোরেজ পরিকল্পনার মধ্যে একটি গুরুত্বপূর্ণ সংযোগ হলো key value cache, যা সাধারণত KV cache নামে পরিচিত। ভাষা মডেল লেখা প্রক্রিয়াকরণের সময় তৈরি হওয়া মধ্যবর্তী তথ্য এতে রাখা হয়, ফলে প্রতিটি নতুন টোকেনের জন্য কাজটি নতুন করে না করে মডেল আগের ফল ব্যবহার করতে পারে।

দীর্ঘ কথোপকথন, বড় কনটেক্সট এবং একই সময়ে একাধিক ব্যবহারকারীর কারণে এসব ক্যাশে প্রচুর মেমোরি ব্যবহার হতে পারে। স্যামসাং এমন একটি স্তরভিত্তিক ব্যবস্থা প্রস্তাব করছে, যেখানে CXL মেমোরি উপলভ্য ধারণক্ষমতা বাড়াবে এবং সবচেয়ে দ্রুত মেমোরি স্তরে রাখার প্রয়োজন নেই—এমন ক্যাশে ডেটা এসএসডিতে থাকবে।

স্যামসাংয়ের সম্মেলন-পৃষ্ঠায় তাদের যুক্তরাষ্ট্রের ক্যাম্পাসে চালু একটি বাস্তব স্থাপনার বিবরণ রয়েছে, যা অভ্যন্তরীণ এআই কোডিং এজেন্ট ও অন্যান্য অ্যাপ্লিকেশনকে সেবা দেয়। স্যামসাং বলছে, তাদের AI Memory Node সমাধানের মাধ্যমে L3.5 কম্পোজেবল মেমোরি স্তর যুক্ত করায় KV cache-এর ব্যবহার পাঁচ থেকে সাত গুণ বেড়েছে।

L3.5 হলো ওই অতিরিক্ত স্তরের নাম; এর অর্থ এই নয় যে সব সার্ভারে অভিন্ন ক্যাশে স্থাপত্য রয়েছে। স্থাপনাটিতে স্যামসাংয়ের Memory Solutions Lab, তাদের DSA AI Platform Integrations টিম এবং SGLang যুক্ত ছিল। ব্যবহারের এই ফল ইলাস্টিক বরাদ্দের বেঞ্চমার্ক এবং LPDDR5X-PIM-এর পারফরম্যান্সের পরিসংখ্যান—দুটির থেকেই আলাদা।

সম্মেলনের সূচিতেও ১৩ অক্টোবর CXL পুলিং ও এসএসডি স্টোরেজ একত্র করে KV cache অন্য স্তরে সরিয়ে নেওয়া নিয়ে একটি অধিবেশন ছিল। এতে উপস্থাপনার কথা ছিল সিস্টেম আর্কিটেক্ট জিনিন সো এবং প্রিন্সিপাল ইঞ্জিনিয়ার ইয়ংহা চোইয়ের। এই সমন্বয়ে কৌশলটি শুধু ধারণক্ষমতা বাড়ানোর মধ্যে সীমাবদ্ধ থাকে না: অতিরিক্ত দেরি ছাড়াই মেমোরি ও স্টোরেজে ডেটা রাখা এবং সেখান থেকে ফিরিয়ে আনার জন্য সফটওয়্যার প্রয়োজন।

ধারণক্ষমতা, শীতলীকরণ ও ডেটা ব্যবস্থাপনায় এসএসডির ভূমিকা

স্যামসাংয়ের ডেটা সংরক্ষণ কৌশলের কেন্দ্রবিন্দুতে রয়েছে এন্টারপ্রাইজ এসএসডি এবং উচ্চ ধারণক্ষমতার NAND ফ্ল্যাশ। ডেটা সংরক্ষণ বলতে গণনার সাময়িক কার্যকর অবস্থার বাইরেও তথ্য ধরে রাখাকে বোঝায়, যাতে প্রয়োজন হলে এআই সিস্টেম ডেটাসেট, মডেল ফাইল ও সংরক্ষিত ক্যাশে তথ্য আনতে পারে।

PM1763-কে PCIe Gen6 এন্টারপ্রাইজ এসএসডি হিসেবে উপস্থাপন করা হয়েছে। এতে ধারাবাহিক রিডের গতি সর্বোচ্চ ২৮.৪ GB/s এবং আগের মডেলের তুলনায় বিদ্যুৎ সাশ্রয় সর্বোচ্চ ১.৮ গুণ। স্যামসাংয়ের তরল শীতলীকরণ প্রদর্শনীতে E1.S সংস্করণটি তাপ অপসারণের জন্য সরাসরি একটি কোল্ড প্লেটের সংস্পর্শে রাখা হয়েছে। পারফরম্যান্সের তুলনার জন্য প্রয়োজনীয় সব পরীক্ষার শর্ত আনুষ্ঠানিক পৃষ্ঠায় উল্লেখ নেই।

BM1773-কে ২৫৬TB QLC স্টোরেজসহ E3.S এসএসডি হিসেবে তালিকাভুক্ত করা হয়েছে। QLC বা quad level cell-এ প্রতিটি ফ্ল্যাশ সেলে চার বিট তথ্য রাখা হয়, যা উচ্চ ধারণক্ষমতা দেয়। প্রতিবেদনগুলোতে উচ্চ ধারণক্ষমতার QLC ফ্ল্যাশ এবং নমনীয় ডেটা ব্যবস্থাপনা প্রযুক্তি নিয়ে স্যামসাংয়ের কাজ অব্যাহত থাকার কথাও বলা হয়েছে।

স্যামসাং LMCache-এর সঙ্গে সমন্বিত KV cache অপ্টিমাইজেশন প্রদর্শন করেছে। Flexible Data Placement বা FDP ডেটা কোথায় লেখা হবে তা গুছিয়ে রাখতে সাহায্য করে, যাতে write amplification কমে। হোস্ট থেকে পাঠানো ডেটার অতিরিক্ত যে অভ্যন্তরীণ লেখা এসএসডিকে করতে হয়, সেটিই write amplification।

প্রদর্শনীতে বড় NVMe Maximum Data Transfer Size-ও ব্যবহার করা হয়েছে, যাতে হোস্ট CPU-র কাজ কমে। স্যামসাংয়ের মতে, একটি নোডের মধ্যে ক্যাশে স্টোরেজ এবং একাধিক সার্ভারের মধ্যে ভাগ করে নেওয়া ক্যাশে—দুই ক্ষেত্রেই এসব কৌশল কাজে লাগতে পারে। তবে এই নির্দিষ্ট অপ্টিমাইজেশনগুলোর উন্নতির পরিমাণ নিয়ে ইভেন্টের পৃষ্ঠায় কোনো সংখ্যাগত তথ্য দেওয়া হয়নি।

সংরক্ষিত ডেটার কাছাকাছি নিয়ে যাওয়া হচ্ছে গণনা

স্যামসাংয়ের ভেক্টর ডেটাবেস প্রদর্শনী ডেটা স্থানান্তর কমানোর আরেকটি উপায় দেখায়। ভেক্টর ডেটাবেসে তথ্যের সংখ্যাগত উপস্থাপনা রাখা হয় এবং কাছাকাছি মিল খুঁজতে সেগুলোর তুলনা করা হয়। কোনো অনুরোধের সঙ্গে সম্পর্কিত নথি খুঁজে দেওয়ার সময় এআই অ্যাপ্লিকেশনে এটি একটি সাধারণ ধাপ।

NCVS প্রুফ অব কনসেপ্টে ভেক্টরের দূরত্ব গণনা এসএসডির ভেতরেই করা হয়। তুলনার জন্য 4KB ভেক্টর হোস্টে পাঠানোর বদলে ডিভাইসটি চার বাইটের দূরত্বের ফল ফেরত দেয়। স্যামসাংয়ের দাবি, প্রচলিত হোস্ট প্রসেসিং পদ্ধতির তুলনায় হোস্টে ডেটা চলাচল সর্বোচ্চ ২২ গুণ কমেছে এবং আরও এসএসডি যুক্ত হলে সার্চের থ্রুপুট বেড়েছে।

চার বাইট ও 4KB-এর পরিসংখ্যান যথাক্রমে পৃথক ফল ও ভেক্টরের আকার বোঝায়; এর অর্থ এই নয় যে পুরো অ্যাপ্লিকেশনে ডেটা চলাচল একই অনুপাতে কমে। সর্বোচ্চ ২২ গুণ হ্রাসের দাবি হলো সামগ্রিকভাবে মাপা তুলনা। স্যামসাং NCVS-কে প্রুফ অব কনসেপ্ট হিসেবে চিহ্নিত করেছে, সাধারণভাবে বাজারে পাওয়া যায় এমন পণ্য হিসেবে নয়।

AiSIO প্রদর্শনীতে GPU-সূচিত, পিয়ার-টু-পিয়ার এবং প্রচলিত CPU-সূচিত কার্যক্রমের জন্য একটি অভিন্ন সফটওয়্যার ইন্টারফেসের মাধ্যমে স্টোরেজ ইনপুট ও আউটপুটের বিষয়টি দেখানো হয়েছে। OpenDS ব্যবহার করে স্যামসাংয়ের দাবি, এতে প্রতি সেকেন্ডে ১০ কোটি ইনপুট/আউটপুট অপারেশন করা যায় এবং নতুন করে চালুর সময় ভাষা মডেল লোড হতে সর্বোচ্চ দশ গুণ কম সময় লাগে।

এই পরিমাপগুলো ভিন্ন ধরনের কাজ বোঝায়। ধারাবাহিক রিডের গতি দীর্ঘ সময় ধরে ডেটা স্থানান্তরের পরিমাণ নির্দেশ করে, প্রতি সেকেন্ডে ইনপুট/আউটপুট অপারেশনের সংখ্যা স্টোরেজ অনুরোধ গোনে এবং নতুন করে চালুর সময় লোডিং দিয়ে বোঝা যায় মডেল কত দ্রুত ব্যবহারের জন্য প্রস্তুত হয়। এর কোনোটিই পুরো এআই সেবা কতজন ব্যবহারকারীর অনুরোধ সামলাতে পারে, তা দেখানো বেঞ্চমার্কের সরাসরি বিকল্প নয়।

গ্রাহক পর্যায়ের পরীক্ষা ও ফাউন্ড্রি প্রদর্শনীতে বিস্তৃত হচ্ছে উদ্যোগ

স্যামসাং MAX Lab-এর লক্ষ্য উন্নয়নের আগের পর্যায়েই গ্রাহকদের যুক্ত করা। বাস্তবসম্মত এআই ওয়ার্কলোডে বাণিজ্যিকীকরণের আগে গ্রাহকেরা PIM, CMM-D এবং পরবর্তী প্রজন্মের এসএসডির মতো প্রযুক্তি পরীক্ষা করতে পারবেন; এরপর সিস্টেমের প্রয়োজনীয়তা পণ্যের নকশায় জানাতে পারবেন।

এই পদ্ধতি সম্মেলনের প্রদর্শনীগুলোর মধ্য দিয়ে উঠে আসা একটি বাস্তব সমস্যার সমাধান করে: কোনো যন্ত্রাংশ দ্রুত হলেই মূল্য তৈরি হয় না, যদি সফটওয়্যার ও আশপাশের হার্ডওয়্যার তা কাজে লাগাতে না পারে। স্যামসাংয়ের Global Open-ecoSystem Team ওপেন সোর্স উন্নয়ন ও শিল্পমান নির্ধারণে অংশ নেয়। ইভেন্টের সূচিতেও সফটওয়্যার ফ্রেমওয়ার্ক, স্টোরেজ কমান্ড পরিচালনা এবং মেমোরি ব্যবস্থাপনা নিয়ে অধিবেশন ছিল।

স্যামসাং স্ট্যান্ডার্ড NVMe-ভিত্তিক লাইভ মাইগ্রেশন ও ভার্চুয়াল এসএসডি ব্যবস্থাপনাসহ কম্পোজেবল স্টোরেজও প্রদর্শন করেছে। তাদের আনুষ্ঠানিক বিবরণে এটিকে একাধিক ব্যবহারকারীর মধ্যে ভাগ করা স্টোরেজ দেওয়ার একটি উপায় হিসেবে তুলে ধরা হয়েছে, যেখানে মানসম্মত সেবার গুণগত মান নিশ্চিত করা যায়। অর্থাৎ, প্রতিটি ওয়ার্কলোড কী ধরনের সেবা পাবে তা নিয়ন্ত্রণের ব্যবস্থা থাকে।

প্রদর্শনীতে মেমোরির বাইরের বিষয়ও ছিল। প্রতিবেদন অনুযায়ী, স্যামসাং ফাউন্ড্রির 4nm প্রক্রিয়ায় তৈরি Groq language processing unit-এর ওয়েফার, কয়েকটি প্রতিবেদনে Nvidia সিস্টেম হিসেবে বর্ণিত Groq 3 LPX সিস্টেম এবং স্যামসাংয়ের 2nm gate all around প্রক্রিয়ায় তৈরি ওয়েফার দেখানো হয়েছে। এসব প্রদর্শনীতে মেমোরি ও স্টোরেজের পাশাপাশি উৎপাদন সক্ষমতাও তুলে ধরা হয়েছে, তবে এগুলো নতুন উৎপাদন চুক্তি বা সরবরাহের পরিমাণের প্রমাণ নয়।

কয়েক মাস ধরে গড়ে ওঠা অংশীদারত্ব

এএমডির সঙ্গে প্রদর্শনীটি আগের সহযোগিতার ধারাবাহিকতা, একক কোনো উদ্যোগ নয়। প্রতিবেদনে বলা হয়েছে, মার্চে পরবর্তী প্রজন্মের এআই মেমোরি ও কম্পিউটিং প্রযুক্তি নিয়ে সমঝোতা স্মারক স্বাক্ষরিত হয়। এরপর ৭ অক্টোবর দক্ষিণ কোরিয়া সফরে এএমডির প্রধান নির্বাহী লিসা সু এ বিষয়ে আলোচনা করেন।

প্রতিবেদনে উল্লেখিত ঘটনাপ্রবাহ ও সম্মেলনের নির্ধারিত অধিবেশনগুলোর ক্রম হলো:

• মার্চ ২০২৬: স্যামসাং ও এএমডি সহযোগিতা-সংক্রান্ত সমঝোতা স্মারকে স্বাক্ষর করে; স্যামসাং Nvidia GTC-তেও প্রযুক্তি উপস্থাপন করে।
• জুন ও আগস্ট ২০২৬: স্যামসাং যথাক্রমে COMPUTEX এবং Future of Memory and Storage সম্মেলনে উপস্থাপনা করে।
• ৭ অক্টোবর ২০২৬: লিসা সু দক্ষিণ কোরিয়া সফর করেন এবং মেমোরি ও কম্পিউটিং সহযোগিতা নিয়ে স্যামসাংয়ের DS Division-এর ভাইস চেয়ারম্যান জিয়ন ইয়ং-হিউনের সঙ্গে বৈঠক করেন; প্রতিবেদনে ফাউন্ড্রি নিয়েও আলোচনার কথা বলা হয়েছে।
• ১২ অক্টোবর ২০২৬: সম্মেলন শুরু হয়; সেদিন শিমের নির্বাহী পর্যায়ের উপস্থাপনা নির্ধারিত ছিল।
• ১৩ থেকে ১৫ অক্টোবর ২০২৬: স্যামসাংয়ের কর্মসূচিতে KV cache স্তরবিন্যাস, স্টোরেজ অপ্টিমাইজেশন এবং শেয়ার্ড CXL মেমোরি স্থাপত্য নিয়ে অধিবেশন ছিল।

স্যামসাং ডায়মন্ড স্পনসর হিসেবে অংশ নেয়। কৌশল ঘোষণার তারিখ স্থানীয় সময় ১২ অক্টোবর, নাকি কোম্পানির ১৩ অক্টোবরের বিবৃতি—তা নিয়ে প্রতিবেদনে ভিন্নতা রয়েছে। একই ইভেন্টের ভিন্ন পর্যায়কে এই তারিখগুলো নির্দেশ করতে পারে। একটি প্রতিবেদনে সম্মেলনটি সান ফ্রান্সিসকোতে বলা হলেও স্যামসাংয়ের আনুষ্ঠানিক সূচিতে সান হোসের কনভেনশন সেন্টারের কথা উল্লেখ রয়েছে।

বাজারের আকার দিয়ে বাণিজ্যিক প্রস্তুতি নিশ্চিত হয় না

প্রতিবেদনে উদ্ধৃত শিল্প গবেষণা অনুযায়ী, ২০২৬ সালের দ্বিতীয় প্রান্তিকে বৈশ্বিক DRAM আয়ের ৩৯% এবং NAND ফ্ল্যাশ বাজারের ২৯.৩% নিয়ে স্যামসাং শীর্ষে ছিল। DRAM-এর পরিসংখ্যানের সূত্র হিসেবে Counterpoint Research এবং NAND-এর জন্য TrendForce-এর নাম উল্লেখ করা হয়েছে। এগুলো বাজারের অংশীদারত্বের পরিমাপ; বিকাশমান CXL বা প্রসেসিং-ইন-মেমোরি বাজারের অংশ নয়।

Omdia-র পূর্বাভাস উদ্ধৃত করে বলা হয়েছে, ওই বছর শিল্পের মধ্যে স্যামসাংয়ের DRAM ও NAND ওয়েফার উৎপাদন সবচেয়ে বেশি হবে। আরেকটি হিসাব অনুযায়ী, ৩০০mm ওয়েফারের সমতুল্য হিসেবে স্যামসাংয়ের বার্ষিক DRAM উৎপাদনক্ষমতা প্রায় ৮১ লাখ ৭৫ হাজার ওয়েফার। উৎপাদনক্ষমতা আর প্রকৃত উৎপাদন এক বিষয় নয়; আর এই দুই পরিসংখ্যানের কোনোটিই OCP-তে প্রদর্শিত প্রযুক্তির জন্য কত উৎপাদন বরাদ্দ হয়েছে, তা জানায় না।

একটি প্রতিবেদনে ৮ অক্টোবরের তারিখে তৃতীয় প্রান্তিকের অস্বাভাবিক বড় প্রাথমিক পরিসংখ্যানও দেওয়া হয়েছে: ১৯৫ ট্রিলিয়ন ওন আয় এবং ১০৭.৪ ট্রিলিয়ন ওন পরিচালন মুনাফা, যা আগের বছরের তুলনায় ৭৮২.৫% বেশি। এখানে এসব পরিসংখ্যানের পক্ষে আনুষ্ঠানিক আর্থিক বিবৃতি নেই; তাই সম্মেলনে প্রদর্শিত প্রযুক্তি থেকে অর্জিত আয়ের প্রতিষ্ঠিত প্রমাণ হিসেবে এগুলো দেখা উচিত নয়।

প্রতিযোগিতাও HBM-এর গণ্ডি ছাড়িয়ে এগোচ্ছে। প্রতিবেদনে বলা হয়েছে, SK hynix-এর Memory-Centric AI Rack System বা MARS-এ পুরো র্যাকজুড়ে ভাগ করে ব্যবহারের জন্য CXL মেমোরি পুল রয়েছে। এতে স্যামসাংয়ের একাধিক সিস্টেমে উদ্বৃত্ত মেমোরি ব্যবহারযোগ্য করার উদ্যোগের সঙ্গে মিল দেখা যায়, যদিও কোন পদ্ধতি বেশি কার্যকর—তা বোঝানোর মতো তুলনীয় বেঞ্চমার্ক নেই।

HBM, সার্ভার DDR5 এবং এন্টারপ্রাইজ এসএসডিতে প্রতিযোগিতার সক্ষমতা বাড়ানোই স্যামসাংয়ের ঘোষিত লক্ষ্য। তবে HBM5-এর প্রাপ্যতা, দাম, আরও বেশি গ্রাহকের গ্রহণ এবং পারফরম্যান্সের দাবিগুলোর স্বাধীন যাচাইয়ের মতো বাণিজ্যিক বিষয়গুলো এখনো অমীমাংসিত। সম্মেলনের কর্মসূচিতে প্রদর্শনী ও আলোচনার তারিখ দেওয়া হয়েছে, প্রতিটি প্রযুক্তির বাজারে আসার নির্দিষ্ট সময়সীমা নয়।

মূল বিষয়

• OCP 2026-এ স্যামসাংয়ের কৌশলে দ্রুততর মেমোরি, CXL দিয়ে ধারণক্ষমতা সম্প্রসারণ এবং ডেটা সংরক্ষণের জন্য এসএসডি একত্র করা হয়েছে।
• এএমডির সঙ্গে সহযোগিতায় বাড়তে থাকা এআই মেমোরির চাহিদা সামলাতে CMM-D মেমোরি প্রযুক্তি ব্যবহার করা হয়েছে।
• আলাদা একটি ইলাস্টিক পুলিং প্রদর্শনীতে প্রথম টোকেন তৈরির সময় সর্বোচ্চ ৩৮% কমা এবং গুডপুট ৩.৩ গুণ বাড়ার দাবি করা হয়েছে।
• স্যামসাংয়ের Edge AI Accelerator-এ LPDDR5X-PIM মূল্যায়নের ফলাফলে ইনফারেন্স পারফরম্যান্স সর্বোচ্চ তিন গুণ হওয়ার কথা রয়েছে।
• PM1763 স্টোরেজ, KV cache অপ্টিমাইজেশন এবং এসএসডির ভেতরে গণনা—ডেটা স্থানান্তরের ভিন্ন ভিন্ন সীমাবদ্ধতা মোকাবিলা করে।
• সম্মেলনে প্রকাশিত তথ্য থেকে HBM5 সরবরাহের তারিখ বা ব্যাপক বাণিজ্যিক প্রাপ্যতা নিশ্চিত হয় না।