এআই মেমোরির নকশায় পরিবর্তনের মধ্যে Nvidia-এর NVHBM-এর জন্য TSMC-এর ৩ ন্যানোমিটার বেস ডাই ব্যবহার করবে Samsung

তিন মেমোরি সরবরাহকারীর জন্য অভিন্ন উৎপাদন-পদ্ধতি

শিল্পসংশ্লিষ্ট সূত্রের ২০২৬ সালের ১৮ অক্টোবর প্রকাশিত তথ্য অনুযায়ী, Nvidia তাদের পরবর্তী প্রজন্মের কাস্টম উচ্চ ব্যান্ডউইথ মেমোরির বেস ডাই তৈরিতে TSMC-এর ৩ ন্যানোমিটার উৎপাদনপ্রক্রিয়া ব্যবহার করতে Samsung Electronics, SK hynix ও Micron-কে অনুরোধ করেছে। অভ্যন্তরীণ পর্যালোচনার পর Samsung-এর Device Solutions বিভাগ অনুরোধটি গ্রহণ করেছে বলে জানা গেছে। এর ফলে মেমোরি উৎপাদনের এমন একটি অংশে তাইওয়ানের প্রতিদ্বন্দ্বী ফাউন্ড্রিকে যুক্ত করছে Samsung, যা তারা ঐতিহ্যগতভাবে নিজেরাই সামলেছে।

NVHBM নামের এই পণ্যটি HBM4E-ভিত্তিক, যা উচ্চ ব্যান্ডউইথ মেমোরির সপ্তম প্রজন্ম। মেমোরি ডাই তৈরিতে সরবরাহকারীরা DRAM উৎপাদনপ্রযুক্তির ষষ্ঠ প্রজন্ম, অর্থাৎ 1c, ব্যবহার করুক—এটিও চায় Nvidia। বিভিন্ন সরবরাহকারীর মেমোরি যেন আরও সামঞ্জস্যপূর্ণভাবে কাজ করে এবং প্রত্যেক সরবরাহকারীর পণ্য অনুমোদনের জন্য প্রয়োজনীয় প্রকৌশলগত কাজ কমে, সেটিই তাদের লক্ষ্য।

Samsung-এর এই সিদ্ধান্ত প্যাকেজিং-সামঞ্জস্যের বাইরে HBM উৎপাদন পর্যন্ত TSMC-এর সঙ্গে বিদ্যমান সম্পর্ককে বিস্তৃত করবে। চার বছর আগে Samsung-এর মেমোরি যেন TSMC-এর প্যাকেজিং প্রযুক্তির মাধ্যমে গ্রাফিকস প্রসেসরের সঙ্গে যুক্ত হতে পারে, তা নিশ্চিত করতে দুই কোম্পানি একসঙ্গে কাজ করেছিল। মেমোরি স্ট্যাকের ভেতরে একটি গুরুত্বপূর্ণ চিপ তৈরি করা সেই সহযোগিতাকে আরও এগিয়ে নেয়।

Nvidia-এর প্রস্তাবে বেস ডাইয়ের কাজেও পরিবর্তন আসছে। NVHBM-এ ডেটার প্রবাহ নিয়ন্ত্রণকারী মেমোরি কন্ট্রোলারটি মূল প্রসেসর থেকে মেমোরি স্ট্যাকের নিচের অংশে সরিয়ে নেওয়া হচ্ছে। এতে বেস ডাই কেবল মেমোরি ও প্রসেসরের মধ্যকার সংযোগ না থেকে কম্পিউটিং সিস্টেমের আরও গুরুত্বপূর্ণ অংশ হয়ে উঠছে।

Samsung-এর জন্য এই স্থাপত্য গ্রহণের অর্থ হলো, আগে একসঙ্গে রাখা দুটি সিদ্ধান্ত আলাদা করা: তথ্য সংরক্ষণের মেমোরি কে তৈরি করবে, আর প্রসেসরের সঙ্গে সংযোগ নিয়ন্ত্রণকারী লজিক চিপ কে তৈরি করবে। Samsung মেমোরি সরবরাহ অব্যাহত রাখবে, আর নির্দিষ্ট বেস ডাই তৈরি করবে TSMC।

মেমোরি স্ট্যাকের ভেতরে কী বদলাচ্ছে?

HBM-এ একাধিক মেমোরি ডাই একটি শক্তিশালী প্রসেসরের পাশে একটির ওপর আরেকটি সাজানো থাকে। এই স্তূপীকৃত নকশায় অল্প দূরত্বে বিপুল পরিমাণ ডেটা চলাচল করতে পারে, ফলে এআই অ্যাক্সিলারেটরের কম্পিউটিং ইউনিটগুলো প্রয়োজনীয় তথ্য পায়। ডাই হলো ইলেকট্রনিক সার্কিটসমৃদ্ধ সিলিকনের একটি পৃথক অংশ।

মূল ডাইগুলোতে ডেটা সংরক্ষিত থাকে। বেস ডাই সেগুলোর নিচে থাকে এবং সংযোগ ও লজিকের কাজ সামলায়। প্রচলিত বিন্যাসে মেমোরি কন্ট্রোলার মূল অ্যাক্সিলারেটর ডাইয়েই থাকে। NVHBM-এ সেটি বেস ডাইয়ে সরানো হয়, ফলে প্রসেসরে অন্য সার্কিটের জন্য জায়গা খালি হয়।

চিপগুলোকে সংযুক্ত করতে Nvidia কাস্টম ফিজিক্যাল ইন্টারফেস ব্যবহার করে, যা PHY নামে পরিচিত। বৈদ্যুতিক সংকেত পাঠানো ও গ্রহণ করার সার্কিটই হলো PHY। NVHBM-এর কারিগরি বিবরণ অনুযায়ী, এটি প্রচলিত HBM-এর বিস্তৃত সমান্তরাল ইন্টারফেসের বদলে অপেক্ষাকৃত সরু, স্বত্বাধিকারভিত্তিক সিরিয়ালাইজড সংযোগ ব্যবহার করে, যেখানে কমসংখ্যক সংযোগ দিয়ে বেশি গতিতে ডেটা পাঠানো হয়।

প্রচলিত ইন্টারফেসের ব্যাপ্তি থেকেই বোঝা যায়, এই পরিবর্তন কেন আকর্ষণীয়। HBM4-এ ৩২টি চ্যানেল রয়েছে, প্রতিটির প্রস্থ ৬৪ বিট; মোট প্রস্থ ২,০৪৮ বিট। এসব সংযোগ সামলাতে চিপগুলোর মধ্যে অনেক সার্কিট ও জটিল তারের বিন্যাস দরকার হয়। এই চাপ কমানো এবং ইন্টারপোজারে, অর্থাৎ চিপের নিচের সংযোগস্তরে, তারের বিন্যাস সহজ করাই NVHBM-এর লক্ষ্য।

NVLink Fusion-এর মাধ্যমে কাস্টম সিলিকন অংশীদারদের জন্য একটি নির্মাণ-উপাদান হিসেবে NVHBM দিচ্ছে Nvidia। প্রচলিত HBM আলাদা পণ্যশ্রেণি হিসেবেই থাকছে। NVHBM বেছে নেওয়া অংশীদারদের নিজেদের অ্যাক্সিলারেটর সিস্টেমে Nvidia-নির্ধারিত কন্ট্রোলার ও সংযোগ-নকশা ব্যবহার করতে হবে।

সব সরবরাহকারীর জন্য একই প্রক্রিয়া কেন চায় Nvidia

Nvidia-এর প্রস্তাবিত উৎপাদন-পদ্ধতিতে মেমোরি স্তরের জন্য উন্নত DRAM প্রক্রিয়ার সঙ্গে TSMC-এর ৩ ন্যানোমিটার লজিক প্রক্রিয়া যুক্ত করা হয়েছে। লজিক ও DRAM ভিন্ন কাজ করে এবং তৈরির পদ্ধতিও আলাদা। ৩ ন্যানোমিটার লেবেলটি লজিক উৎপাদনের একটি প্রজন্ম বোঝায়, আর 1c হলো DRAM প্রযুক্তির একটি প্রজন্ম।

Samsung, SK hynix ও Micron-এর প্রত্যেকের নকশা ও উৎপাদন-পদ্ধতি নিজস্ব। একাধিক কোম্পানির কাছ থেকে মেমোরি কিনতে চাইলে অ্যাক্সিলারেটর নির্মাতাকে এসব পার্থক্যের কারণে অতিরিক্ত পরীক্ষা করতে হতে পারে। বেস ডাই তৈরির জন্য অভিন্ন প্রক্রিয়া থাকলে নির্মাতারা আরও সামঞ্জস্যপূর্ণ ভিত্তি পাবেন।

ভ্যালিডেশন হলো নির্দিষ্ট গতি, বিদ্যুৎ ব্যবহার ও নির্ভরযোগ্যতার মানে প্রসেসর, মেমোরি এবং প্যাকেজ একসঙ্গে কাজ করছে কি না, তা যাচাই করা। ভিন্ন নকশার ক্ষেত্রে এই কাজ বারবার করতে প্রকৌশলগত সময় লাগে। মেমোরি সরবরাহকারী বদলালে আলাদা করে যত সমন্বয়মূলক কাজ করতে হয়, তা কমানোর লক্ষ্য Nvidia-এর প্রস্তাবের।

Micron তাদের আসন্ন DRAM প্রজন্মের নাম দিয়েছে 1-gamma, যা মোটের ওপর Samsung ও SK hynix-এর পরিভাষায় ব্যবহৃত 1c প্রজন্মের সঙ্গে তুলনীয়। তাই অভিন্ন লক্ষ্য বলতে বিভিন্ন কোম্পানির নামে পরিচিত উৎপাদন-প্রজন্মকে একত্র করা বোঝায়; প্রত্যেক সরবরাহকারীর মেমোরি প্রক্রিয়া হুবহু এক করা নয়।

প্রতিদ্বন্দ্বী মেমোরি পণ্যের পেছনে TSMC একটি সাধারণ উৎপাদন-অংশীদার হয়ে উঠবে। এতে বিভিন্ন সরবরাহকারীর পণ্য নিয়ে Nvidia-এর কাজ সহজ হতে পারে, তবে উৎপাদনের একটি গুরুত্বপূর্ণ ধাপ এক ফাউন্ড্রিতে কেন্দ্রীভূত হবে। বিকল্প উৎপাদনপথ খতিয়ে দেখছে Samsung; এতে বোঝা যায় পর্যাপ্ত বেস ডাই নিশ্চিত করা কতটা জরুরি।

নিজস্ব কারখানার ভূমিকাও রাখছে Samsung

প্রচলিত HBM-এর ক্ষেত্রে নিজস্ব সমন্বিত উৎপাদন মডেল বজায় রাখার পরিকল্পনা Samsung-এর। তাদের HBM4 ও HBM4E পণ্যে বেস ডাইয়ের জন্য Samsung-এর নিজস্ব ৪ ন্যানোমিটার প্রক্রিয়া এবং মূল ডাইয়ের জন্য 1c প্রক্রিয়া ব্যবহৃত হয়। দক্ষিণ কোরিয়ার হোয়াসং ও পিয়ংটেক ক্যাম্পাসে মেমোরির স্তরগুলো তৈরি হয়।

২০২৬ সালের শুরুর দিকে HBM4-এর ব্যাপক উৎপাদন শুরু করে Samsung। অক্টোবরের ওই প্রতিবেদন প্রকাশের সময় HBM4E ব্যাপক উৎপাদনের অনুমোদন পাওয়ার জন্য পরীক্ষা-নিরীক্ষার পর্যায়ে ছিল। নির্ধারিত মানে ধারাবাহিকভাবে পণ্য তৈরি করা যাবে কি না, তা যাচাইয়ের ধাপকেই উৎপাদন-অনুমোদনের পরীক্ষা বলা হয়।

AMD-সহ অন্য গ্রাহকদের জন্য কাস্টম HBM-এও Samsung-এর সমন্বিত পদ্ধতি বজায় থাকবে বলে আশা করা হচ্ছে। তাই NVHBM-সংক্রান্ত সিদ্ধান্তটি Nvidia-এর নির্দিষ্ট চাহিদার জন্য; এটি অভ্যন্তরীণভাবে বেস ডাই তৈরি বন্ধ করার কোম্পানিব্যাপী পদক্ষেপ নয়।

TSMC-তে তৈরি বেস ডাইয়ের নকশা ও অপ্টিমাইজেশনে সহায়তার নেতৃত্ব দেবে বলে আশা করা হচ্ছে Samsung-এর Memory Business বিভাগকে। এতে Samsung-এর ভেতরে দায়িত্বের ভাগ বদলাবে। আগে নিজস্বভাবে তৈরি বেস ডাইয়ে System LSI ও Foundry বিভাগ ঐতিহ্যগতভাবে অবদান রাখত।

চাহিদা TSMC-এর সক্ষমতা ছাড়িয়ে গেলে Samsung-এর নিজস্ব ফাউন্ড্রিতে NVHBM বেস ডাই তৈরি করা যাবে কি না, সেটিও মূল্যায়ন করছে কোম্পানিটি। এই সম্ভাব্য বিকল্পে আরেকটি উৎপাদনপথ খোলা থাকবে, যদিও Nvidia-এর প্রতিবেদনভিত্তিক নির্দিষ্টকরণে আপাতত TSMC-এর ৩ ন্যানোমিটার প্রক্রিয়াই রয়েছে।

ভিন্ন পথে এগোচ্ছে Micron ও SK hynix

Micron-এর পরিবর্তন Nvidia-এর কাস্টম পণ্যের বাইরেও বিস্তৃত। কোম্পানিটি জানিয়েছে, Nvidia-এর সঙ্গে তৈরি NVHBM এবং তাদের প্রচলিত HBM4E—দুটিরই বেস ডাই একটি বাইরের ফাউন্ড্রিতে তৈরি হবে। এ কাজ TSMC করবে বলে আশা করা হচ্ছে।

HBM4-এ Micron-এর 1-beta প্রক্রিয়ায় তৈরি মেমোরি ডাইয়ের সঙ্গে অভ্যন্তরীণভাবে তৈরি বেস ডাই ব্যবহার করা হয়। HBM4E-তে মেমোরির স্তরগুলো 1-gamma প্রক্রিয়ায় তৈরি হবে এবং বেস ডাই উৎপাদন Micron-এর কারখানার বাইরে নেওয়া হবে। অর্থাৎ Micron স্ট্যাকের দুটি প্রধান অংশেই পরিবর্তন আনছে: নতুন মেমোরি প্রক্রিয়া ব্যবহার করার পাশাপাশি বাইরের লজিক উৎপাদন-অংশীদার নিচ্ছে।

Micron-এর প্রধান পরিচালন কর্মকর্তা Manish Bhatia মনে করেন, NVHBM-এর গড় বিক্রয়মূল্য বেশি হবে এবং মুনাফার হারও বাড়বে। তাঁর যুক্তি, HBM এমনিতেই বেশি দামে বিক্রি হয়; কাস্টমাইজেশনে বাড়তি কাজ ও কার্যকারিতা যোগ হওয়ায় পণ্যের মূল্যও বাড়ে। তাই বেস ডাইয়ের কাজ বাইরে করিয়েও বেশি মুনাফার প্রত্যাশা করা যেতে পারে।

HBM4 বেস ডাইয়ের জন্য SK hynix ইতিমধ্যে TSMC-এর ১২ ন্যানোমিটার লজিক প্রক্রিয়া ব্যবহার করছে। শিল্পসংশ্লিষ্ট সূত্রের তথ্য অনুযায়ী, HBM4E এবং ভবিষ্যতের কাস্টম HBM-এর জন্য TSMC-এর ৩ ন্যানোমিটার প্রক্রিয়াকে অগ্রাধিকার দেওয়া হচ্ছে। এতে আরও দায়িত্ব নিতে থাকা একটি উপাদানে উন্নত লজিক উৎপাদন প্রযুক্তি যুক্ত হবে।

বছরের শুরুর দিকে Nvidia-এর GTC অনুষ্ঠানে Stream DQ প্রযুক্তিভিত্তিক একটি কাস্টম HBM ধারণাও দেখিয়েছিল SK hynix। এই ধারণার লক্ষ্য হলো প্রসেসরে অবিরাম ডেটা পৌঁছে দেওয়া ও তা ব্যবস্থাপনা করা। তিন সরবরাহকারীর ক্ষেত্রেই অভিন্ন প্রবণতা হলো, ডেটা সরানোর কাজে বেস ডাইকে আরও সক্রিয় অংশ করে তোলা।

Nvidia-এর কর্মক্ষমতার পরিসংখ্যানের অর্থ

Nvidia-এর দাবি, প্রচলিত HBM4E-এর তুলনায় NVHBM প্রতিটি স্ট্যাকে সর্বোচ্চ ৩০ শতাংশ বেশি ব্যান্ডউইথ দিতে পারে এবং HBM-এর বিদ্যুৎ ব্যবহার ১৫ শতাংশ কমাতে পারে। নির্দিষ্ট সময়ে কত ডেটা চলাচল করতে পারে, তা বোঝায় ব্যান্ডউইথ। মেমোরি থেকে তথ্যের অপেক্ষায় থাকা এআই প্রসেসরের কাজে বেশি ব্যান্ডউইথ সহায়ক হতে পারে।

সহজ উদাহরণে, প্রচলিত HBM4E স্ট্যাক নির্দিষ্ট সময়ে ১০০ একক ডেটা সরবরাহ করলে Nvidia-এর দাবি করা সর্বোচ্চ উন্নতিতে তা বেড়ে ১৩০ একক হবে। তুলনার জন্য মেমোরি ১০০ একক বিদ্যুৎ ব্যবহার করলে দাবিকৃত হ্রাসে HBM-এর ব্যবহার নেমে আসবে ৮৫ এককে। এই উদাহরণগুলো শতাংশের হিসাব বোঝায়; নির্দিষ্ট বাজারজাত পণ্যের বিবরণ নয়।

XPU কম্পিউট ডাইয়ের ক্ষেত্রফলের সর্বোচ্চ ২৫ শতাংশ খালি করার কথাও বলেছে Nvidia। কাস্টম এআই অ্যাক্সিলারেটরসহ বিভিন্ন কম্পিউটিং প্রসেসর বোঝাতে XPU একটি বিস্তৃত পরিভাষা। মেমোরির সার্কিট অন্যত্র সরিয়ে নিলে নকশাবিদেরা সিলিকনের আরও বেশি অংশ কম্পিউটিংয়ের কাজে বরাদ্দ করতে পারেন।

Nvidia-এর উপস্থাপনা নিয়ে আরেকটি প্রতিবেদনে মূল ডাইয়ে সর্বোচ্চ ৩০ শতাংশ বেশি কম্পিউটিং সক্ষমতার কথা বলা হয়েছে। এটি সম্ভাব্য কম্পিউটিং রিসোর্সের হিসাব; অন্যদিকে ২৫ শতাংশের পরিসংখ্যানটি স্থাপত্যগত পরিবর্তনে খালি হওয়া সিলিকন ক্ষেত্রফল বোঝায়। খালি হওয়া জায়গা কীভাবে ব্যবহার হবে, তা নকশাবিদদেরই ঠিক করতে হবে।

কাস্টম PHY-তে এই ইন্টারফেসের দখল করা ক্ষেত্রফল সর্বোচ্চ ৬৭ শতাংশ কমে বলে বর্ণনা করা হয়েছে। পিনের সংখ্যা কমে যাওয়ার হিসাব থেকে এই অনুমান করেছে একটি কারিগরি মূল্যায়ন। ব্যান্ডউইথ, বিদ্যুৎ ব্যবহার ও ক্ষেত্রফল নিয়ে Nvidia-এর বিস্তৃত তুলনায় ভিত্তি হিসেবে প্রচলিত HBM4E ব্যবহার করা হয়েছে, যদিও সেই প্রজন্মের পণ্য তখনও বাজারে আসেনি।

এআই সেবায় মেমোরি যদি গতির সীমাবদ্ধতা হয়, তাহলে দ্রুত ডেটা চলাচলে উত্তর তৈরি ত্বরান্বিত হতে পারে। মেমোরির বিদ্যুৎ ব্যবহার কমলে বিদ্যুতের নির্ধারিত সীমার মধ্যে সিস্টেম নকশাবিদেরা আরও সুযোগ পেতে পারেন। পুরো সার্ভারে এর প্রভাব প্রসেসর, কাজের ধরন, নেটওয়ার্ক ও শীতলীকরণব্যবস্থার পাশাপাশি মেমোরির ওপরও নির্ভর করে।

Nvidia-এর বিস্তৃত প্ল্যাটফর্মের সঙ্গে মেমোরিকে যুক্ত করছে Amazon

ঘোষিত NVHBM অংশীদারদের মধ্যে প্রথম হলো Amazon-এর Annapurna Labs। চিপ নকশার এই ব্যবসা AWS-এর জন্য Trainium অ্যাক্সিলারেটর তৈরি করে। ফলে নিজেদের এআই প্রসেসরও তৈরি করে এমন একটি কোম্পানির কাছে মেমোরি প্রযুক্তি সরবরাহের পথ পাচ্ছে Nvidia।

ঘোষণার সঙ্গে দেওয়া মন্তব্যে Annapurna Labs-এর ভাইস প্রেসিডেন্ট Nafea Bshara অংশীদারত্বের উদ্দেশ্য তুলে ধরেন:

ভবিষ্যতের AWS অবকাঠামোর নকশায় সুফল আনবে—এমন এই প্রযুক্তিগত সহযোগিতার জন্য আমরা আগ্রহী।

Annapurna-এর Trainium 4-এ NVLink Fusion সমর্থিত হবে বলে আশা করা হচ্ছে। NVHBM চালুর সময় নিয়ে বিভিন্ন প্রতিবেদনে Trainium 4 অথবা পরবর্তী প্রজন্মের কথা বলা হয়েছে। Amazon-এর NVHBM বাস্তবায়নে কোন প্রজন্মের চিপ ব্যবহৃত হবে এবং বাণিজ্যিকভাবে কবে পাওয়া যাবে, তা এখনো প্রকাশ্যে চূড়ান্ত হয়নি।

NVLink Fusion-এর মাধ্যমে অংশীদাররা NVLink Chiplet, NVLink-C2C, NVLink Switch এবং MGX সিস্টেম ও র‍্যাকসহ বিভিন্ন প্রযুক্তি পায়। Nvidia-এর কম্পিউটিং অবকাঠামোয় কাস্টম প্রসেসর যুক্ত করার সংযোগ ও সিস্টেম নকশা এগুলো সরবরাহ করে। NVHBM এই সংগ্রহে মেমোরি সাবসিস্টেম যোগ করছে।

NVHBM ঘোষণার পাঁচ দিন পর MediaTek NVLink Fusion গ্রহণ করেছে বলে জানা গেছে এবং নিজেদের XPU গ্রাহকদেরও এটি দেওয়ার পরিকল্পনা করেছে। এতে কাস্টম অ্যাক্সিলারেটর প্রকল্পে Nvidia-এর আরেকটি প্রবেশপথ তৈরি হচ্ছে। এই বাজারে Broadcom ও Marvell-ও প্রতিদ্বন্দ্বিতা করছে। মেমোরি নিয়ন্ত্রণ অন্যত্র সরানোর তুলনীয় পদ্ধতির কথা Marvell ২০২৪ সালের ডিসেম্বরে জানিয়েছিল। ফলে গ্রাহকদের গ্রহণ এবং সিস্টেমে একীভূত করাও প্রতিযোগিতার গুরুত্বপূর্ণ অংশ।

যেভাবে এগিয়েছে পরিবর্তন

NVHBM-এর বিকাশে স্থাপত্য, সরবরাহকারী সম্পর্ক এবং গ্রাহকের গ্রহণ—এই তিন ক্ষেত্রের পরিবর্তন এক হয়েছে। ঘটনাক্রমটি ব্যাখ্যা করে কেন Samsung-এর অক্টোবরের সিদ্ধান্ত গুরুত্বপূর্ণ: প্রথমে Nvidia অভিন্ন নকশা উপস্থাপন করেছে, এরপর মেমোরি নির্মাতাদের ঠিক করতে হয়েছে সেটি কীভাবে তৈরি করবে।

• ডিসেম্বর ২০২৪: মেমোরি নিয়ন্ত্রণের কাজ ভিন্নভাবে স্থাপনের একটি তুলনীয় ধারণা নির্ধারণ করে Marvell।
• ২০২৬ সালের শুরুর দিকে: HBM4-এর ব্যাপক উৎপাদন শুরু করে Samsung; GTC-তে Stream DQ-ভিত্তিক কাস্টম HBM ধারণা তুলে ধরে SK hynix।
• ২৬ আগস্ট, ২০২৬: NVLink Fusion-এ সংযোজন হিসেবে NVHBM ঘোষণা করে Nvidia এবং প্রথম অংশীদার হিসেবে Annapurna Labs-এর নাম জানায়।
• এর পাঁচ দিন পর: NVLink Fusion গ্রহণ করে MediaTek এবং নিজেদের XPU গ্রাহকদের জন্য তা দেওয়ার পরিকল্পনা করে বলে জানা যায়।
• ১৮ অক্টোবর, ২০২৬: Nvidia-এর TSMC ৩ ন্যানোমিটার বেস ডাই ব্যবহারের অনুরোধ এবং অভ্যন্তরীণ পর্যালোচনার পর Samsung-এর সম্মতির কথা জানায় শিল্পসংশ্লিষ্ট বিভিন্ন সূত্র।

Samsung-এর সিদ্ধান্ত মেমোরি সরবরাহকারীদের মধ্যে অভিন্ন বাস্তবায়নের Nvidia-এর লক্ষ্য অনুযায়ী উৎপাদন পরিকল্পনাকে এগিয়ে নেয়। একই সময়ে নিজস্ব বেস ডাইয়ে Samsung-এর অব্যাহত বিনিয়োগ প্রচলিত HBM এবং অন্য গ্রাহকদের জন্য সরবরাহ করা কাস্টম পণ্যে ভিন্ন উৎপাদনপথও বজায় রাখে।

মূল বিষয়গুলো

• NVHBM-এর বেস ডাইয়ের জন্য Samsung, SK hynix ও Micron-কে TSMC-এর ৩ ন্যানোমিটার প্রক্রিয়া ব্যবহারের অনুরোধ করেছে Nvidia বলে জানা গেছে।
• NVHBM-এ মেমোরি কন্ট্রোলার মূল প্রসেসর থেকে HBM স্ট্যাকের বেস ডাইয়ে সরানো হচ্ছে।
• অনুরোধটি গ্রহণ করেছে Samsung; তবে প্রচলিত HBM ও অন্য কাস্টম পণ্যের অভ্যন্তরীণ উৎপাদন চালিয়ে যাওয়ার পরিকল্পনা রয়েছে।
• NVHBM ও প্রচলিত HBM4E—দুটির বেস ডাই বাইরে তৈরি করার পরিকল্পনা Micron-এর; HBM4-এর জন্য TSMC-এর সঙ্গে SK hynix ইতিমধ্যেই কাজ করছে।
• প্রচলিত HBM4E-এর তুলনায় সর্বোচ্চ ৩০ শতাংশ বেশি ব্যান্ডউইথ এবং HBM-এর বিদ্যুৎ ব্যবহার ১৫ শতাংশ কমানোর দাবি করেছে Nvidia।
• ঘোষিত প্রথম অংশীদার Amazon-এর Annapurna Labs; সম্ভাব্য বিকল্প উৎপাদনব্যবস্থা হিসেবে নিজেদের ফাউন্ড্রিও খতিয়ে দেখছে Samsung।