এআই মেমরির প্রতিযোগিতায় সম্ভাব্য নতুন ভূমিকা
আলোচনা সম্পর্কে অবগত দুই ব্যক্তির বরাতে ২০২৬ সালের ৬ ও ৭ নভেম্বর প্রকাশিত প্রতিবেদনে বলা হয়েছে, তাইওয়ান সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিং কোম্পানি (TSMC) তাদের সবচেয়ে বড় গ্রাহক এনভিডিয়ার অনুরোধে 3D DRAM তৈরি করার কথা ভাবছে। প্রস্তাবটি বাস্তবায়িত হলে কৃত্রিম বুদ্ধিমত্তার কম্পিউটিং চালাতে প্রয়োজনীয় মেমরি উৎপাদনে বিশ্বের বৃহত্তম চুক্তিভিত্তিক চিপ নির্মাতা প্রতিষ্ঠানটির ভূমিকা আরও বাড়বে।
সূচিপত্র
- এআই মেমরির প্রতিযোগিতায় সম্ভাব্য নতুন ভূমিকা
- 3D DRAM কী পরিবর্তন আনবে?
- এআইয়ে ইতিমধ্যে ব্যবহৃত HBM থেকে এর পার্থক্য
- কেন আরও মেমরির বিকল্প চায় এনভিডিয়া
- কারখানা নির্মাণ, নাকি বিদ্যমান কারখানার রূপান্তর
- কাজটির নেতৃত্বে থাকা নির্বাহী কেন গুরুত্বপূর্ণ
- নকশা থেকে সরবরাহ পর্যন্ত প্রকৌশলগত কাজ
- ঘটনাগুলোর পারস্পরিক যোগসূত্র
- মূল বিষয়গুলো
TSMC দুটি পথ বিবেচনা করছে: নতুন কারখানা নির্মাণ অথবা বিদ্যমান কারখানা কিনে সেটিকে মেমরি উৎপাদনের উপযোগী করা। উন্নত প্যাকেজিং প্রযুক্তি উন্নয়নের দায়িত্বে থাকা ভাইস প্রেসিডেন্ট সু কুও-চিন reportedly এই কাজের নেতৃত্ব দিচ্ছেন। এর আগে তিনি মাইক্রন তাইওয়ানের চেয়ারম্যান ছিলেন। ফলে চিপ সংযোজনের বর্তমান দায়িত্বের পাশাপাশি মেমরি উৎপাদনেও তাঁর অভিজ্ঞতা রয়েছে।
এআই হার্ডওয়্যারের চাহিদা মেমরির সরবরাহে চাপ সৃষ্টি করে দাম বাড়িয়ে দেওয়ার সময়ে এই আলোচনা হচ্ছে। এনভিডিয়া অতিরিক্ত সরবরাহকারী খুঁজছে। অ্যাপলও মেমরির আরও উৎস খুঁজছে এবং এ বছরের শুরুর দিকে কয়েকটি পণ্যের দাম বাড়ানোর কারণগুলোর মধ্যে মেমরির ক্রমবর্ধমান ব্যয়ের কথা উল্লেখ করেছে।
বাজারের গুজব বা জল্পনা নিয়ে মন্তব্য করতে অস্বীকৃতি জানিয়ে TSMC প্রকাশ্যে তাদের মূল ফাউন্ড্রি ব্যবসায় মনোযোগ দেওয়ার কথা পুনর্ব্যক্ত করেছে। প্রতিষ্ঠানটির ভাষ্য, বৈশ্বিক লজিক চিপ শিল্পকে প্রযুক্তি ও উৎপাদন সক্ষমতা সরবরাহ করাই তাদের লক্ষ্য। পরিকল্পনা নিয়ে মন্তব্য চেয়ে যোগাযোগ করা হলে TSMC ও এনভিডিয়া তাৎক্ষণিকভাবে সাড়া দেয়নি।
মূল বাণিজ্যিক প্রশ্ন হলো, TSMC প্রসেসর তৈরি ও সেগুলোকে মেমরির সঙ্গে যুক্ত করতে সহায়তার কাজ থেকে সরে এসে মেমরি সেলও তৈরি করতে পারবে কি না। তাতে প্রতিষ্ঠানটি স্যামসাং ইলেকট্রনিকস, এসকে হাইনিক্স ও মাইক্রনের সঙ্গে আরও সরাসরি প্রতিযোগিতায় নামবে। একই সঙ্গে ক্রমেই ব্যয়বহুল হয়ে ওঠা একটি উপাদান সংগ্রহের জন্য গ্রাহকদের আরেকটি পথও তৈরি হতে পারে।
3D DRAM কী পরিবর্তন আনবে?
DRAM-এর পূর্ণরূপ ডায়নামিক র্যান্ডম অ্যাকসেস মেমরি। কোনো ইলেকট্রনিক যন্ত্র কাজ করার সময় যে তথ্যের প্রয়োজন হয়, DRAM সাময়িকভাবে তা ধরে রাখে। প্রসেসর এটিকে অনেকটা মানুষের ডেস্কের মতো ব্যবহার করে: চলতি কাজের প্রয়োজনীয় তথ্য হাতের কাছে থাকে, বারবার দীর্ঘমেয়াদি স্টোরেজ থেকে তা আনতে হয় না।
প্রচলিত DRAM-এ মেমরি সেলগুলো অনুভূমিক সমতলে সাজানো থাকে। বিবেচনাধীন 3D DRAM পদ্ধতিতে সেল বা সেলের স্তরগুলো উল্লম্বভাবে বসানো হবে, যাতে একই চিপের নির্দিষ্ট আয়তনে আরও বেশি তথ্য রাখা যায়। ধারণাটি অনেকটা জমির আয়তন না বাড়িয়ে ভবনে আরও তলা যোগ করার মতো।
এআই হার্ডওয়্যারের ক্ষেত্রে ধারণক্ষমতাই একমাত্র চাহিদা নয়। ব্যয়বহুল প্রসেসরগুলোকে সচল রাখতে মেমরিকে যথেষ্ট দ্রুত তথ্য সরবরাহ করতে হয়। বেশি তথ্য ধরে রাখা চিপকে গতি, বিদ্যুৎ খরচ, তাপমাত্রা ও নির্ভরযোগ্য পরিচালনার শর্তও পূরণ করতে হবে।
সংরক্ষিত তথ্য ধরে রাখতে DRAM-কে নিয়মিত রিফ্রেশ করতে হয়। বাণিজ্যিকভাবে কার্যকর নকশায় নির্ভরযোগ্যভাবে তথ্য পড়া ও লেখার পাশাপাশি এই প্রক্রিয়াও সামলাতে হবে। তাই প্রস্তাবিত উদ্যোগটি শুধু সরবরাহ বাড়ানোর দাবির জবাব নয়, উৎপাদন ও প্রকৌশলগত প্রকল্পও।
এআইয়ে ইতিমধ্যে ব্যবহৃত HBM থেকে এর পার্থক্য
হাই ব্যান্ডউইথ মেমরি বা HBM-ও উল্লম্ব কাঠামো ব্যবহার করে, তবে ভিন্ন স্তরে। নির্মাতারা আলাদা DRAM চিপ তৈরি করেন, যেগুলোকে ডাই বলা হয়, এবং সেগুলো স্তূপ করে সাজান। সিলিকনের মধ্য দিয়ে যাওয়া বৈদ্যুতিক সংযোগ ডাইগুলোকে যোগাযোগ করতে দেয়। উন্নত প্যাকেজিংয়ের মাধ্যমে মেমরির স্তূপকে প্রসেসরের সঙ্গে যুক্ত করা হয়।
3D DRAM-এ সেল স্তূপ করে সাজালে মেমরি ডিভাইসের ভেতরের বিন্যাস বদলে যায়। HBM-এ আলাদাভাবে তৈরি ডাই স্তূপ করা হয়; প্রস্তাবিত স্থাপত্যে ডিভাইসের ভেতরে মেমরি সেল বা স্তরগুলো স্তূপ করা হবে। দুই পদ্ধতির উৎপাদন ও সংযোজনের চাহিদা আলাদা।
HBM উৎপাদন শৃঙ্খলে TSMC ইতিমধ্যে যুক্ত। SK hynix-এর সঙ্গে ঘোষিত HBM4 সহযোগিতায় মেমরিকে লজিক চিপের সঙ্গে যুক্ত করার জন্য বেস ডাইয়ের কার্যক্ষমতা ও প্যাকেজিং অন্তর্ভুক্ত রয়েছে। বেস ডাই হলো মেমরির স্তূপের নিচে থাকা চিপ, যা সংযোগ ও লজিকের কাজ সামলায়।
TSMC-এর উৎপাদন প্রযুক্তিতে এনভিডিয়ার আগ্রহ অক্টোবরে প্রকাশিত তাদের NVHBM বেস ডাই পরিকল্পনাতেও দেখা গেছে। প্রতিবেদনে বলা হয়েছে, এনভিডিয়া স্যামসাং, এসকে হাইনিক্স ও মাইক্রনকে তাদের কাস্টম মেমরি নকশার বেস ডাই তৈরিতে TSMC-এর 3 ন্যানোমিটার প্রক্রিয়া ব্যবহার করতে বলেছে। ওই ব্যবস্থায় মেমরি কোম্পানিগুলো মেমরি ডাই সরবরাহ করবে, আর নির্ধারিত লজিক উপাদানটি তৈরি করবে TSMC।
মেমরি সেল তৈরি করলে TSMC-এর বিদ্যমান ভূমিকার সঙ্গে আরও একটি দায়িত্ব যুক্ত হবে। গ্রাহকদের জন্য এর বাস্তব সুবিধা নির্ভর করবে চূড়ান্ত পণ্যের ধারণক্ষমতা, তথ্য স্থানান্তরের গতি, বিদ্যুৎ খরচ এবং তাদের সিস্টেমের সঙ্গে সামঞ্জস্যের ওপর।
কেন আরও মেমরির বিকল্প চায় এনভিডিয়া
এনভিডিয়ার কথিত অনুরোধ থেকে বোঝা যায়, সরবরাহের সমস্যা শুধু প্রসেসরেই সীমাবদ্ধ নয়। এআই সিস্টেমে কম্পিউটিং ক্ষমতার পাশাপাশি অবিচ্ছিন্ন তথ্যপ্রবাহ দরকার। প্রসেসরের সংখ্যা বাড়লে সেগুলোকে তথ্য জোগানো মেমরির চাহিদাও বাড়ে, ফলে উৎপাদন বাড়াতে নির্মাতাদের ওপর চাপ পড়ে।
TSMC-এর মেমরি ব্যবসা চালু হলে স্যামসাং, এসকে হাইনিক্স ও মাইক্রনের মতো প্রতিষ্ঠিত প্রধান সরবরাহকারীদের মুখোমুখি হবে। পর্যাপ্ত পরিমাণে পণ্য সরবরাহ করতে এবং গ্রাহকদের প্রযুক্তিগত চাহিদা পূরণ করতে পারলে নতুন উৎপাদক ক্রেতাদের বিকল্প বাড়াতে পারে।
এআই সিস্টেম দ্রুত চালু করতেও কাজ করছে এনভিডিয়া। অক্টোবরে ঘোষিত DSX POD নকশাতে ৫০৪টি রুবিন গ্রাফিকস প্রসেসরসহ সাতটি কম্পিউটিং র্যাকের কথা বলা হয়েছে। পাঠানোর আগে এগুলো একটি কনটেইনারে সংযোজন ও পরীক্ষা করা হবে। বিশ্বজুড়ে সরবরাহ ২০২৭ সালের শুরুর দিকে শুরু করার পরিকল্পনা রয়েছে।
এর সঙ্গে বাস্তব যোগসূত্র রয়েছে: কোনো স্থাপনা পরিকল্পনা বাস্তবায়ন করতে প্রসেসর, মেমরি, নেটওয়ার্কিং ও কুলিং সরঞ্জামসহ সব উপাদান সময়মতো পৌঁছাতে হয়। প্রসেসর উৎপাদন বাড়ানো ও স্থাপন সহজ করার পাশাপাশি মেমরির প্রাপ্যতাও সরবরাহসূচির অংশ।
অতিরিক্ত মেমরির উৎস খোঁজার মাধ্যমে অ্যাপল দেখিয়েছে, ভোক্তা ইলেকট্রনিকসেও এই চাপ পৌঁছেছে। মেমরির বাড়তি ব্যয় ফোন, কম্পিউটার ও অন্যান্য যন্ত্রের পাশাপাশি এআইয়ে ব্যবহৃত বড় সিস্টেমগুলোর ব্যবসায়িক হিসাবেও প্রভাব ফেলতে পারে। কয়েকটি পণ্যের দাম বাড়ানোর পেছনে একটি কারণ হিসেবে অ্যাপল ইতিমধ্যেই এ ব্যয়ের কথা বলেছে।
কারখানা নির্মাণ, নাকি বিদ্যমান কারখানার রূপান্তর
প্রতিবেদন অনুযায়ী, TSMC-এর সামনে দুটি বিকল্প: উন্নত মেমরির জন্য নতুন কারখানা নির্মাণ অথবা বিদ্যমান একটি কারখানা কিনে সেটিকে উপযোগী করে তোলা। এ বছরের শুরুর দিকে মাইক্রন দ্বিতীয় পথটি বেছে নিয়ে DRAM উৎপাদনের জন্য রূপান্তর করতে একটি ফ্যাব্রিকেশন কারখানা কিনেছে।
ফ্যাব্রিকেশন কারখানাকে সাধারণত ফ্যাব বলা হয়। এখানে ওয়েফার নামে পরিচিত পাতলা চাকতিতে চিপ তৈরি করা হয়। কোনো ফ্যাবকে রূপান্তর করতে শুধু পণ্যের নাম বদলালেই হয় না: যন্ত্রপাতি, প্রক্রিয়ার ধাপ ও পরিচালনার পরিবেশ মেমরি নকশার উপযোগী হতে হয়। নতুন কারখানায় উৎপাদন নিয়ন্ত্রণে আনতেও সরঞ্জাম, অবকাঠামো ও সময় লাগে।
কারখানা-সংক্রান্ত সিদ্ধান্ত কত আগে নিতে হয়, তা TSMC-এর বিদ্যমান সম্প্রসারণ পরিকল্পনায় দেখা যায়। চেয়ারম্যান ও প্রধান নির্বাহী সি. সি. ওয়েই ১৫ অক্টোবর জানান, প্রতিষ্ঠানটি আরও একটি তাইনানে 3nm কারখানা স্থাপন করবে। সেখানে ২০২৮ সালের প্রথমার্ধে বাণিজ্যিক উৎপাদন শুরুর লক্ষ্য রয়েছে। আগে পরিকল্পিত তাইনানের আরেকটি প্রকল্পে ২০২৭ সালের প্রথমার্ধে ব্যাপক উৎপাদন শুরুর কথা ছিল।
প্রস্তাবিত মেমরি উদ্যোগটি এখনো পরিকল্পনা পর্যায়ে রয়েছে। কারখানার অবস্থান, বিনিয়োগ বাজেট, ওয়েফার উৎপাদনের লক্ষ্য, বাণিজ্যিক পণ্য, গ্রাহকের অনুমোদন এবং উৎপাদন শুরুর তারিখ প্রকাশ করা হয়নি। মেমরিটি কোথায় ব্যবহারের পরিকল্পনা রয়েছে, তাও এনভিডিয়া জানায়নি। ফলে গ্রাহকদের কাছে সরবরাহসূচি বা মূল্যায়নের জন্য নির্দিষ্ট কোনো পণ্য নেই।
কাজটির নেতৃত্বে থাকা নির্বাহী কেন গুরুত্বপূর্ণ
সু-এর কথিত নেতৃত্ব দুটি প্রাসঙ্গিক অভিজ্ঞতার ক্ষেত্রকে যুক্ত করেছে। মাইক্রন তাইওয়ানের সাবেক চেয়ারম্যান হিসেবে তিনি মেমরি শিল্পে কাজ করেছেন। TSMC-তে তাঁর দায়িত্বের মধ্যে রয়েছে থ্রিডি ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট ও উন্নত প্যাকেজিং, যা চিপগুলোকে বড় কম্পিউটিং সিস্টেমে যুক্ত করতে ব্যবহৃত হয়।
উন্নত প্যাকেজিং গুরুত্বপূর্ণ, কারণ কার্যকর এআই উপাদানকে একটি সম্পূর্ণ সিস্টেমের ভেতরে কাজ করতে হয়। প্রসেসর, মেমরি ও অন্যান্য চিপের মধ্যকার সংযোগ তথ্য চলাচলের গতি এবং তাপ নিয়ন্ত্রণে প্রভাব ফেলে। ঘন মেমরি ডিভাইস তৈরি করা এক কাজ; সেটিকে কার্যকর পণ্যে সংযোজন করা আরেক কাজ।
এর আগে TSMC প্রচলিত মেমরি উৎপাদনে অংশ নিয়েছে এবং উল্লম্ব DRAM-সংক্রান্ত পেটেন্টও রয়েছে প্রতিষ্ঠানটির। ফলে এই উদ্যোগে বিদ্যমান কিছু প্রযুক্তিগত কাজের পাশাপাশি প্যাকেজিং সক্ষমতাও কাজে লাগানো হতে পারে।
স্যামসাং, এসকে হাইনিক্স ও মাইক্রনও 3D DRAM প্রযুক্তি উন্নয়ন করছে। TSMC-এর কোনো পণ্য এলে এমন একটি বাজারে প্রবেশ করবে, যেখানে প্রতিষ্ঠিত মেমরি নির্মাতারাও একই ধরনের স্থাপত্যগত পরিবর্তন নিয়ে কাজ করছে এবং পাশাপাশি বর্তমান বাজারে সরবরাহ অব্যাহত রেখেছে।
নকশা থেকে সরবরাহ পর্যন্ত প্রকৌশলগত কাজ
উল্লম্বভাবে স্তূপ করা মেমরি তৈরি করতে খুব গভীর ও সরু কাঠামো বানাতে হয় এবং বিভিন্ন স্তরকে নিখুঁতভাবে যুক্ত করতে হয়। কাঠামোজুড়ে নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করাও আরেকটি চ্যালেঞ্জ: গ্রাহকদের চাহিদা অনুযায়ী কোষগুলোকে তথ্য ধরে রাখতে এবং বারবার পড়া ও লেখার কাজ করতে হবে।
উৎপাদনের ফলন অর্থনীতির জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। একটি ওয়েফারে তৈরি চিপের যে অংশ বিক্রির উপযোগী হয়, তাকে উৎপাদন ফলন বলা হয়। একই জায়গায় বেশি তথ্য ধরে রাখতে পারলেও উৎপাদনের সময় অনেক ডিভাইস নষ্ট হলে নকশাটি ব্যয়বহুলই থেকে যেতে পারে।
গ্রাহকের অনুমোদন পাওয়াও প্রক্রিয়ার আরেকটি ধাপ। এনভিডিয়ার এমন মেমরি লাগবে, যা নির্দিষ্ট সিস্টেমের প্রয়োজন মেটায়। এর মধ্যে রয়েছে ব্যান্ডউইথ, বিদ্যুৎ খরচ, তাপীয় আচরণ ও প্যাকেজিংয়ের সঙ্গে সামঞ্জস্য। কোনো উপাদান বাণিজ্যিক পণ্যে ব্যবহারের আগে এসব শর্ত যাচাই ও অনুমোদনের প্রক্রিয়াই হলো গ্রাহক যোগ্যতা যাচাই।
উল্লম্বভাবে স্তূপ করা NAND উৎপাদনে স্যামসাংয়ের অভিজ্ঞতা উৎপাদনের মাইলফলক কীভাবে নথিভুক্ত হয়, তার একটি ঐতিহাসিক তুলনা দেয়। প্রতিষ্ঠানটি ২০১৩ সালে প্রথম প্রজন্মের V-NAND চালু করে এবং ২০১৪ সালের অক্টোবরে দ্বিতীয় প্রজন্মের ব্যাপক উৎপাদনের ঘোষণা দেয়। NAND হলো এমন স্টোরেজ মেমরি, যা বিদ্যুৎ না থাকলেও তথ্য ধরে রাখে। অন্যদিকে DRAM সাময়িক কার্যকরী মেমরি হিসেবে কাজ করে এবং এতে রিফ্রেশ দরকার হয়। এই দুই ধরনের মেমরির কাজের শর্ত আলাদা হওয়ায় উন্নয়নের সময়সূচিও ভিন্ন প্রকৌশলগত কাজের ওপর নির্ভর করে।
ক্রেতাদের জন্য কার্যকর মাপকাঠি হবে অনুমোদিত, সচল মেমরি পর্যাপ্ত পরিমাণে সরবরাহ করা। সরবরাহের পরিমাণ হিসাব করতে ওয়েফার উৎপাদন, প্রতি চিপের ধারণক্ষমতা, উৎপাদন ফলন এবং প্যাকেজিংয়ের পরিমাণ জানা দরকার। নতুন সরবরাহকারী কতটা অবদান রাখতে পারবে, তা মূল্যায়নে গ্রাহকদের এই পরিসংখ্যানগুলো কাজে লাগবে।
ঘটনাগুলোর পারস্পরিক যোগসূত্র
অক্টোবরের ঘোষণা ও নভেম্বরের প্রতিবেদনগুলো এআইয়ের চাহিদা মেটাতে নেওয়া কয়েকটি সংশ্লিষ্ট উদ্যোগের কথা তুলে ধরেছে: লজিক চিপ উৎপাদন বাড়ানো, মেমরির বেস ডাইয়ে TSMC-এর ভূমিকা বাড়ানো, দ্রুত সিস্টেম স্থাপন এবং এখন মেমরি সেল উৎপাদনের বিষয়টি বিবেচনা করা।
- ১৫ অক্টোবর, ২০২৬: TSMC তাদের 3 ন্যানোমিটার প্রক্রিয়া ব্যবহার করে তাইনানে আরেকটি কারখানা তৈরির ঘোষণা দেয়। ২০২৮ সালের প্রথমার্ধে বাণিজ্যিক উৎপাদন শুরুর পরিকল্পনা রয়েছে।
- ১৮ অক্টোবর, ২০২৬: শিল্পখাতের প্রতিবেদনে বলা হয়, স্যামসাং, এসকে হাইনিক্স ও মাইক্রনের মাধ্যমে সরবরাহ করা NVHBM বেস ডাইয়ে TSMC-এর 3 ন্যানোমিটার প্রযুক্তি ব্যবহারের অনুরোধ করেছে এনভিডিয়া।
- ২১ অক্টোবর, ২০২৬: এনভিডিয়া DSX POD ঘোষণা করে। বিশ্বজুড়ে সরবরাহ ২০২৭ সালের শুরুর দিকে শুরু করার পরিকল্পনা রয়েছে।
- ৬ ও ৭ নভেম্বর, ২০২৬: প্রতিবেদনে বলা হয়, এনভিডিয়ার অনুরোধে 3D DRAM উৎপাদনের বিষয়টি বিবেচনা করছে TSMC।
৬ নভেম্বর যুক্তরাষ্ট্রের বাজার খোলার আগে লেনদেনে TSMC-এর আমেরিকান ডিপোজিটারি রিসিপ্টের দাম ৭.৬ শতাংশ বেড়েছে। প্রস্তাবিত ব্যবসা সম্প্রসারণ বিনিয়োগকারীদের বিবেচনার জন্য এআই-সংশ্লিষ্ট সম্ভাব্য আরেকটি আয়ের উৎস তৈরি করবে, যা প্রতিষ্ঠানটির প্রতিষ্ঠিত প্রসেসর উৎপাদন ও প্যাকেজিং কার্যক্রমের পাশাপাশি থাকবে।
এনভিডিয়া ও অন্যান্য গ্রাহকের তাৎক্ষণিক উদ্বেগ হলো, সাশ্রয়ী ব্যয়ে পর্যাপ্ত উপযোগী মেমরি পাওয়া। TSMC-এর কথিত পরিকল্পনা সম্ভাব্য আরেকটি উৎপাদনপথের ইঙ্গিত দিলেও প্রতিষ্ঠানটির প্রকাশ্য অবস্থান এখনো ফাউন্ড্রি ব্যবসাকেন্দ্রিক। পণ্য, উৎপাদন সক্ষমতা এবং গ্রাহকের অনুমোদন নিয়ে কোম্পানির সিদ্ধান্তই হবে পরবর্তী সুনির্দিষ্ট অগ্রগতি।
মূল বিষয়গুলো
- এনভিডিয়ার অনুরোধে 3D DRAM উৎপাদনের কথা ভাবছে TSMC বলে প্রতিবেদন প্রকাশিত হয়েছে।
- বিকল্পগুলোর মধ্যে রয়েছে নতুন কারখানা নির্মাণ অথবা বিদ্যমান কারখানা কিনে রূপান্তর করা।
- মাইক্রন তাইওয়ানের সাবেক চেয়ারম্যান ভাইস প্রেসিডেন্ট সু কুও-চিন কাজটির নেতৃত্ব দিচ্ছেন বলে জানা গেছে।
- 3D DRAM-এ সেল স্তূপ করে সাজানো হয়; HBM-এ আলাদাভাবে তৈরি মেমরি ডাই স্তূপ করা হয়।
- বাজারের জল্পনা নিয়ে মন্তব্য করে না বলে জানিয়েছে TSMC; প্রতিষ্ঠানটি মূল ফাউন্ড্রি ব্যবসায় মনোযোগী।
- বাণিজ্যিক পণ্য, কারখানা নির্মাণের সিদ্ধান্ত বা উৎপাদনসূচি ঘোষণা করা হয়নি।
- মেমরি সেল উৎপাদনে গেলে TSMC স্যামসাং, এসকে হাইনিক্স ও মাইক্রনের সঙ্গে আরও সরাসরি প্রতিযোগিতায় নামবে।
