ছোট মেমোরি সেল, উচ্চাভিলাষী সময়সীমা
চীনের বৃহত্তম মেমোরি চিপ নির্মাতা চাংশিন মেমোরি টেকনোলজিস (CXMT) ২০২৬ সালের শেষ নাগাদ 4F2 DRAM আর্কিটেকচার ব্যবহার করে DDR5 নিবন্ধিত সার্ভার মেমোরি বাজারে আনার পরিকল্পনা করছে। ১০ অক্টোবর সাংহাইয়ে অনুষ্ঠিত চতুর্থ ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট অ্যান্ড চিপলেট সম্মেলনে প্রতিষ্ঠানটির প্রেসিডেন্ট কাও কানইউ পরিকল্পনাটি তুলে ধরেন। এর মধ্য দিয়ে স্যামসাং ইলেকট্রনিকস, এসকে হাইনিক্স ও মাইক্রনের সঙ্গে প্রতিযোগিতার লক্ষ্যকে একটি নির্দিষ্ট পণ্য ও সময়সীমার সঙ্গে যুক্ত করেছে প্রতিষ্ঠানটি।
সূচিপত্র
- ছোট মেমোরি সেল, উচ্চাভিলাষী সময়সীমা
- সাংহাইয়ে কাওয়ের ঘোষণা
- DRAM চিপে 4F2 কী বদলায়
- স্যামসাং ও এসকে হাইনিক্সের নিজস্ব সময়সূচি রয়েছে
- উৎপাদন-ইল্ডই প্রতিযোগিতার ফল নির্ধারণ করতে পারে
- সার্ভার গ্রাহকদের ক্ষেত্রে পরীক্ষা আলাদা
- পেটেন্ট ও সরঞ্জামও বৃহত্তর প্রতিযোগিতার গতিপথ গড়ে দেয়
- সময়সীমার আগে যা এখনো প্রমাণিত নয়
- মূল বিষয়গুলো
প্রস্তাবিত আর্কিটেকচারে প্রতিটি মেমোরি সেলের জায়গা মূলধারার 6F2 নকশার তুলনায় কমিয়ে 4F2 করা হয়েছে। একই ন্যূনতম ফিচার সাইজে তাত্ত্বিকভাবে সেলের আয়তন এক-তৃতীয়াংশ কমে। এতে একটি চিপে আরও বেশি মেমোরি রাখা সম্ভব হতে পারে। তবে চূড়ান্ত পণ্যে এর সুফল নির্ভর করবে সার্কিট, উৎপাদনের ফলাফল এবং নকশার অন্যান্য চাহিদার ওপর।
স্যামসাংয়ের ২০২৮ সালের কথিত গণউৎপাদন লক্ষ্যের চেয়ে CXMT-এর সময়সীমা প্রায় দুই বছর এগিয়ে। তবে এটি এখনো দুই বছরের উৎপাদন-অগ্রগতির প্রমাণ নয়। পণ্য বাজারে আনা এবং নির্ভরযোগ্যভাবে বিপুল পরিমাণে উৎপাদন করা আলাদা মাইলফলক। পরিকল্পিত সার্ভার মেমোরির বিস্তারিত স্পেসিফিকেশন, সুনির্দিষ্ট বাজারে আসার তারিখ বা উৎপাদন-ইল্ড CXMT প্রকাশ করেনি।
ঘোষণাটি গুরুত্বপূর্ণ, কারণ এর লক্ষ্য এন্টারপ্রাইজ সার্ভার, যেখানে চীনা DRAM সরবরাহকারীরা ইতিমধ্যে উপস্থিতি গড়ে তোলা ভোক্তা ডিভাইসের বাজার নয়। সার্ভার গ্রাহকদের দীর্ঘ সময় ধরে নির্ভরযোগ্য কার্যক্রম দরকার। ফলে ছোট সেল প্রদর্শনের পাশাপাশি বাণিজ্যিক গ্রহণযোগ্যতাও আলাদা পরীক্ষার বিষয়।
সাংহাইয়ে কাওয়ের ঘোষণা
কাও কানইউ, যাঁর নাম ইংরেজি প্রতিবেদনে চাও কানইউ হিসেবেও লেখা হয়েছে, বলেন নতুন আর্কিটেকচারের প্রথম পণ্য হিসেবে সার্ভার মেমোরি আনা হবে। সাংহাই সম্মেলনে তিনি সম্ভাব্য বাজারে আনার সময় সম্পর্কে বলেন:
বছর শেষ নাগাদ আমরা 4F2 DRAM কাঠামোযুক্ত পরবর্তী প্রজন্মের DDR5 RDIMM সার্ভার মেমোরি বাজারে আনব।
RDIMM-এর পূর্ণরূপ নিবন্ধিত ডুয়াল ইনলাইন মেমোরি মডিউল। এসব মডিউলে কমান্ড ও অ্যাড্রেস সিগন্যাল বাফার করতে একটি রেজিস্টার ব্যবহৃত হয়, যা সার্ভারে বেশি চাহিদাসম্পন্ন মেমোরি কনফিগারেশন সমর্থনে সহায়তা করে। DDR5 মেমোরির প্রজন্ম নির্দেশ করে; 4F2 বর্ণনা করে সেলের অন্তর্নিহিত বিন্যাস। অর্থাৎ, ঘোষণাটি পরিচিত ধরনের সার্ভার মেমোরির ভেতরের চিপ তৈরির নতুন পদ্ধতি নিয়ে, DDR5 মানের বিকল্প নিয়ে নয়।
CXMT জানিয়েছে, তারা উৎপাদনের গুরুত্বপূর্ণ ধাপগুলো নতুন করে নকশা করেছে এবং নিজস্ব ভার্টিক্যাল সারাউন্ডিং গেট ট্রানজিস্টর বা VSG তৈরি করেছে। এসব দাবি থেকে বোঝা যায়, কাজটি শুধু প্রস্তাবিত সেল বিন্যাসের মধ্যে সীমাবদ্ধ নয়। তবে এতে প্রক্রিয়াটিতে কতটি ব্যবহারযোগ্য চিপ তৈরি হয়, কত দ্রুত উৎপাদন বাড়ানো যায় বা সার্ভার গ্রাহকেরা যোগ্যতা যাচাই শেষ করেছেন কি না, তা প্রমাণিত হয় না।
সময়সীমা নিয়ে প্রতিবেদনগুলোতে ভিন্নভাবে বলা হয়েছে। কিছু প্রতিবেদনে বছর শেষ নাগাদ গণউৎপাদন শুরুর পরিকল্পনা বলা হয়েছে, অন্যদিকে কাওয়ের উদ্ধৃত বক্তব্যে পণ্য বাজারে আনার প্রতিশ্রুতি রয়েছে। উৎপাদনের পরিমাণ প্রকাশ করা হয়নি বলে, প্রতিযোগীদের সঙ্গে CXMT-এর তুলনার ক্ষেত্রে বাজারে পণ্য আনার এই অপেক্ষাকৃত সীমিত প্রতিশ্রুতিই বেশি নির্ভরযোগ্য ভিত্তি।
DRAM চিপে 4F2 কী বদলায়
DRAM তথ্য সংরক্ষণ করে এমন সেলে, যেগুলোর ডেটা ধরে রাখতে নিয়মিত রিফ্রেশ করতে হয়। সেলের আকার বোঝাতে ব্যবহৃত চিহ্নে F হলো ন্যূনতম ফিচার সাইজ, যাকে সাধারণত ন্যূনতম লাইন-প্রস্থ বলা হয়। 4F2 সেলের আয়তন 2F গুণ 2F-এর সমান; এর বিপরীতে 6F2 সেলের আয়তন F-এর ছয় বর্গ একক।
হিসাবটি এই উচ্চাকাঙ্ক্ষার একটি কার্যকর পরিমাপ দেয়। ছয় একক থেকে চার এককে গেলে সেলের জায়গা প্রায় ৩৩% কমে। শুধু সেলের আয়তন বিবেচনায় নিলে একই জায়গায় ৫০% বেশি সেল রাখা সম্ভব, কারণ ছয়কে চার দিয়ে ভাগ করলে ১.৫ হয়। এই দুই সংখ্যার কোনোটিকেই CXMT-এর চূড়ান্ত মডিউলের ধারণক্ষমতা বা গতির নিশ্চিত উন্নতি হিসেবে ধরা উচিত নয়।
বাস্তব চিপে পেরিফেরাল সার্কিট, সংযোগ এবং উৎপাদন-সীমাবদ্ধতার কারণে প্রয়োজনীয় জায়গাও থাকে। নির্দিষ্ট এলাকায় কতটি সেল বসে, তার বাইরেও মেমোরির গতি, বিদ্যুৎ খরচ ও নির্ভরযোগ্যতা নির্ভর করে আরও অনেক কিছুর ওপর। বর্তমান সার্ভার DRAM-এর সঙ্গে এসব বৈশিষ্ট্যের তুলনা করা যায়, এমন কোনো পরিমাপ CXMT প্রকাশ করেনি।
প্রস্তাবিত VSG ট্রানজিস্টরে চ্যানেলটি উল্লম্বভাবে বসানো হয়, আর গেট সেটিকে ঘিরে থাকে। গেট ট্রানজিস্টরের মধ্য দিয়ে কারেন্ট নিয়ন্ত্রণ করে। CXMT-এর দাবি, এই বিন্যাস অবাঞ্ছিত কারেন্ট লিকেজ কমাতে এবং মেমোরির ঘনত্ব বাড়াতে সহায়তা করে, যা বিদ্যুৎ-দক্ষতার সম্ভাব্য সুফল দিতে পারে।
মেমোরি সেল ও পেরিফেরাল লজিক আলাদাভাবে উন্নত করতে CXMT হাইব্রিড বন্ডিং নিয়েও কাজ করছে। হাইব্রিড বন্ডিং অত্যন্ত সূক্ষ্ম বৈদ্যুতিক সংযোগের মাধ্যমে সেমিকন্ডাক্টর কাঠামো যুক্ত করে। এর ঘোষিত লক্ষ্য হলো স্টোরেজ অ্যারে ও সহায়ক সার্কিটের নকশায় আরও নমনীয়তা আনা। তবে প্রাথমিক DDR5 RDIMM বাজারে আনার সময় এই পদ্ধতি ব্যবহার করা হবে কি না, তা প্রতিবেদনে নিশ্চিত করা হয়নি।
স্যামসাং ও এসকে হাইনিক্সের নিজস্ব সময়সূচি রয়েছে
স্যামসাং ইলেকট্রনিকস ও এসকে হাইনিক্স 4F2 DRAM নিয়ে গবেষণা করছে। তবে CXMT-এর ঘোষণাবিষয়ক প্রতিবেদনগুলোতে কোনো প্রতিষ্ঠানই গণউৎপাদনের সুনির্দিষ্ট প্রতিশ্রুতি দেয়নি। এসকে হাইনিক্স ২০২৫ সালে সংশ্লিষ্ট প্রযুক্তির একটি রোডম্যাপ প্রকাশ করে। প্রতিবেদনে বলা হয়েছে, স্যামসাং ২০২৬ সালে 4F2-ভিত্তিক 10a DRAM-এর উন্নয়ন শেষ করতে, ২০২৭ সালে গুণমান পরীক্ষা চালাতে এবং ২০২৮ সালে গণউৎপাদন শুরু করতে চায়।
স্যামসাংয়ের সময়সূচিটি প্রতিবেদনভিত্তিক উন্নয়ন লক্ষ্য, নিশ্চিত নিশ্চয়তা নয়। তবু CXMT-এর প্রস্তাবিত ২০২৬ সালের বাজারে আনার পরিকল্পনা কেন এত মনোযোগ পাচ্ছে, তা এটি ব্যাখ্যা করে: চীনা প্রতিষ্ঠানটি তার বড় প্রতিদ্বন্দ্বীর সঙ্গে বর্তমানে যুক্ত উৎপাদন-সময়ের আগেই বাণিজ্যিক পণ্য বাজারে আনতে চাইছে।
সাংহাই জিয়াও টং বিশ্ববিদ্যালয়ের গবেষক তিয়ান ফেং বলেন, বড় তিন মেমোরি নির্মাতারই 4F2 বা অনুরূপ 3D DRAM প্রযুক্তির রোডম্যাপ রয়েছে, তবে কোনো প্রতিষ্ঠানই এখনো বৃহৎ পরিসরে বাণিজ্যিক উৎপাদনে পৌঁছায়নি। তাঁর মূল্যায়ন থেকে বোঝা যায়, এটি উদীয়মান প্রতিযোগিতা; এমন বাজার নয় যেখানে কোনো নির্মাতা ইতিমধ্যে নির্ণায়ক ব্যবধানে এগিয়ে থাকার প্রমাণ দিয়েছে।
প্রতিবেদনে উল্লেখ করা মাইলফলকগুলো কয়েক বছরজুড়ে বিস্তৃত:
- ২০১৬: CXMT-এর দাবি, প্রতিষ্ঠানটি প্রতিষ্ঠার সময় থেকেই 4F2 নিয়ে গবেষণা শুরু করে।
- ২০২৫: এসকে হাইনিক্স 4F2 প্রযুক্তি-সংশ্লিষ্ট রোডম্যাপ প্রকাশ করে।
- আগস্ট ২০২৬: CXMT-এর দাবি, LPDDR6 মোবাইল মেমোরির গণউৎপাদন শুরু হয়।
- সেপ্টেম্বর ২০২৬: CXMT-এর দাবি, তাদের পঞ্চম প্রজন্মের DRAM উৎপাদন প্ল্যাটফর্মের গণউৎপাদন শুরু হয়।
- ১০ অক্টোবর ২০২৬: কাও সাংহাইয়ে সার্ভার মেমোরির পরিকল্পনা তুলে ধরেন।
- ২০২৬ সালের শেষ: CXMT-এর লক্ষ্য 4F2-ভিত্তিক DDR5 RDIMM বাজারে আনা।
- ২০২৭ ও ২০২৮: প্রতিবেদনে বলা হয়েছে, স্যামসাং ওই সময়ে গুণমান পরীক্ষা ও পরে গণউৎপাদনের পরিকল্পনা করছে।
উৎপাদন-ইল্ডই প্রতিযোগিতার ফল নির্ধারণ করতে পারে
উৎপাদনের কেন্দ্রীয় বিষয় হলো ইল্ড: একটি ওয়েফারে তৈরি চিপের মধ্যে কত অংশ নির্ধারিত স্পেসিফিকেশন পূরণ করে। ছোট সেল নীতিগতভাবে আকর্ষণীয় হতে পারে, কিন্তু পরীক্ষায় অনেক চিপ ব্যর্থ হলে উৎপাদন ব্যয়বহুল থেকে যায়। ট্রানজিস্টরের জ্যামিতি ও উৎপাদন ধাপ বদলালে প্রক্রিয়াটিকে বাণিজ্যিকভাবে কার্যকর ইল্ডে পৌঁছাতে হয়।
মেমোরির ঘাটতির সময় এটি বিশেষভাবে গুরুত্বপূর্ণ। নতুন প্রক্রিয়া চালু করা নির্মাতারা উৎপাদন সমস্যার সমাধান করতে গিয়ে ব্যবহারযোগ্য উৎপাদন হারাতে পারে, যদিও শেষ পর্যন্ত প্রযুক্তিটি ঘনত্ব বা কর্মক্ষমতা বাড়ায়। তাই প্রতিষ্ঠিত সরবরাহকারীরা বিদ্যমান পণ্যের চাহিদা বিবেচনায় নিয়ে পরিবর্তনের সময় নির্ধারণ করতে পারে।
এসকে হাইনিক্সের সাবেক প্রধান প্রযুক্তি কর্মকর্তা কিম জিন-গুক উৎপাদন সক্ষমতাকে তাৎক্ষণিক বাণিজ্যিক অগ্রাধিকার হিসেবে বর্ণনা করেন:
বর্তমান মেমোরি সংকট দীর্ঘস্থায়ী হবে বলে ধারণা করা হচ্ছে। বাজার এখন এমন অবস্থায় যাচ্ছে, যেখানে প্রযুক্তিগত দক্ষতার চেয়ে উৎপাদন সক্ষমতা বেশি গুরুত্বপূর্ণ।
নতুন প্রক্রিয়া চালুর ব্যয় সম্পর্কেও কিম সতর্ক করেন:
নতুন প্রযুক্তি চালুর সময় উৎপাদনজনিত ক্ষতি উল্লেখযোগ্য হওয়াই স্বাভাবিক।
তাঁর মন্তব্য ব্যাখ্যা করে, আগে ঘোষণা দিলেই প্রতিযোগিতামূলক অবস্থান শক্তিশালী হয় না। ঘন নকশার কোনো প্রতিদ্বন্দ্বীর জন্য উৎপাদন কঠিন হয়ে থাকলে, নির্ভরযোগ্য মেমোরি বিপুল পরিমাণে উৎপাদন করতে পারা প্রতিষ্ঠান গ্রাহকদের আরও কার্যকরভাবে সরবরাহ করতে পারে।
G5 প্ল্যাটফর্মে সেপ্টেম্বরে উৎপাদন শুরুর CXMT-এর কথিত তথ্য আরেকটি উৎপাদন মাইলফলকে অগ্রগতির ইঙ্গিত দেয়। তবে তা একা প্রমাণ করে না যে ঘোষিত 4F2 সার্ভার পণ্যও একই মাত্রায় প্রস্তুত। উৎপাদনসংক্রান্ত ওই দাবিগুলোর পারস্পরিক সম্পর্ক বোঝার মতো যথেষ্ট বিস্তারিত তথ্য প্রতিষ্ঠানটি প্রকাশ করেনি।
সার্ভার গ্রাহকদের ক্ষেত্রে পরীক্ষা আলাদা
স্যামসাং, এসকে হাইনিক্স ও মাইক্রন সার্ভার DRAM-এর বাজারে শীর্ষস্থান ধরে রেখেছে। অন্যদিকে CXMT-এর মনোযোগ বেশি ছিল ভোক্তা ইলেকট্রনিকসে। CXMT জানিয়েছে, ২০২৬ সালের প্রথমার্ধে সার্ভার ব্যবসা থেকে তাদের অবদান বেড়েছে। তবে ওই ব্যবসার আয় বা বাজার-অংশের কোনো পরিসংখ্যান প্রতিবেদনে দেওয়া হয়নি।
এতে সার্ভার বাজারে প্রবেশ করা ও সেখানে উল্লেখযোগ্য চাহিদা অর্জনের মধ্যে গুরুত্বপূর্ণ পার্থক্য থাকে। দীর্ঘ সময় ধরে নিরবচ্ছিন্ন কাজের চাপের মধ্যে গ্রাহকদের এমন মেমোরি দরকার, যা তাদের সিস্টেমে নির্ভরযোগ্যভাবে কাজ করে। চিপের ঘনত্বের পাশাপাশি পণ্যের যোগ্যতা যাচাই, নির্ভরযোগ্য সরবরাহ এবং ধারাবাহিক কর্মক্ষমতাও গুরুত্বপূর্ণ হবে।
ঘোষণাটি হাই ব্যান্ডউইথ মেমোরি বা HBM-এ কোনো অগ্রগতি প্রতিষ্ঠা করে না। উন্নত কম্পিউটিং প্রসেসরের সঙ্গে HBM ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। DDR5 RDIMM ও HBM-এর কাজ আলাদা। প্রস্তাবিত সার্ভার পণ্যে অগ্রগতিকে CXMT-এর HBM প্রযুক্তিগত ব্যবধান ঘুচে যাওয়ার প্রমাণ হিসেবে ধরা যায় না।
প্রচলিত DRAM-এ চীনের সঙ্গে দক্ষিণ কোরিয়ার ব্যবধান নিয়ে বিভিন্ন হিসাব রয়েছে। কিছু প্রতিবেদনে তা এক থেকে দুই বছর, আবার কিছুতে দুই থেকে তিন বছর বলা হয়েছে। HBM-এ ব্যবধান অন্তত তিন বছর বলে প্রতিবেদনে মোটামুটি একমত দেখা যায়। এগুলো শিল্পখাতের মূল্যায়ন, প্রকাশিত ও তুলনাযোগ্য পণ্য পরীক্ষার ফল থেকে পাওয়া পরিমাপ নয়।
পেটেন্ট ও সরঞ্জামও বৃহত্তর প্রতিযোগিতার গতিপথ গড়ে দেয়
CXMT-এর দাবি, 4F2-সংশ্লিষ্ট ৩০০টির বেশি পেটেন্ট পরিবার তারা প্রকাশ করেছে এবং ২০১৬ সাল থেকে এই আর্কিটেকচার নিয়ে গবেষণা করছে। পেটেন্ট পরিবার বলতে কোনো উদ্ভাবন সুরক্ষায় বিভিন্ন আবেদন বা এখতিয়ারে দাখিল করা সম্পর্কিত আবেদনগুলোকে বোঝায়। এই সংখ্যা দাবি করা মেধাস্বত্বের উল্লেখযোগ্য ভাণ্ডারের ইঙ্গিত দেয়, কিন্তু তা উৎপাদনে প্রমাণিত ৩০০টি পৃথক অগ্রগতির সমান নয়।
কাওয়ের আরও দাবি, CXMT-এর সংশ্লিষ্ট পেটেন্ট অন্য দেশীয় ও আন্তর্জাতিক প্রতিযোগীদের চেয়ে বেশি। এই অবস্থান যাচাই করার মতো তুলনামূলক পেটেন্ট-তথ্য দেওয়া হয়নি। বাণিজ্যিকভাবে বেশি কার্যকর পরীক্ষা হবে নকশাগুলো উৎপাদন করা যায় কি না, চূড়ান্ত পণ্য গ্রাহকের চাহিদা পূরণ করে কি না এবং বৃহৎ পরিসরে সরবরাহ করা সম্ভব কি না।
উৎপাদন সরঞ্জামের প্রাপ্যতাও একটি সীমাবদ্ধতা। প্রতিবেদন অনুযায়ী, ASML-এর EUV নামে পরিচিত এক্সট্রিম আলট্রাভায়োলেট লিথোগ্রাফি সরঞ্জাম CXMT ব্যবহার করতে পারে না। অত্যন্ত ক্ষুদ্র ফিচার তৈরিতে EUV নির্মাতাদের সহায়তা করে। এটি না থাকায় বাণিজ্যিকভাবে কার্যকর ইল্ড অর্জনের পথে CXMT-এর জন্য অনিশ্চয়তা বাড়ে।
শিল্পখাতের কিছু বিশ্লেষণে বলা হয়, ভবিষ্যতের 3D DRAM উৎপাদনে EUV-এর প্রভাব কম হবে। এই প্রত্যাশা পরবর্তী সময়ের একটি আর্কিটেকচার নিয়ে, ঘোষিত পণ্যটির উৎপাদন-চ্যালেঞ্জ দূর করে না। 4F2 সেলে উল্লম্ব ট্রানজিস্টর থাকলেই একাধিক DRAM সেল স্তরে স্তরে বসানো হয়েছে, এমনটাও নয়।
চীনের অন্যান্য কথিত অগ্রগতি কোরীয় নির্মাতাদের উদ্বেগের কারণ ব্যাখ্যা করে। হুয়াওয়ে লজিক ফোল্ডিং প্রযুক্তি সামনে এনেছে, আর প্রতিবেদন অনুযায়ী, YMTC-এর Xtacking বন্ডিং প্রযুক্তি ব্যবহারের জন্য স্যামসাং রয়্যালটি দিচ্ছে। এগুলো আলাদা প্রযুক্তি ও প্রতিষ্ঠানের বিষয়, তাই এগুলো দিয়ে CXMT-এর সার্ভার মেমোরির দাবি যাচাই করা যায় না।
৫ অক্টোবর হুয়াওয়ে ও কোয়ালকমের ঘোষিত পেটেন্ট লাইসেন্সিং চুক্তিতে 5G, কম্পিউটিং, কৃত্রিম বুদ্ধিমত্তা ও নেটওয়ার্কিং অন্তর্ভুক্ত। এটি শিল্পে চীনা মেধাস্বত্বের বৃহত্তর ভূমিকার দৃষ্টান্ত, তবে এটি DRAM চুক্তি নয় কিংবা 4F2 উৎপাদনের প্রস্তুতির প্রমাণও নয়।
সময়সীমার আগে যা এখনো প্রমাণিত নয়
CXMT-এর আর্থিক সম্প্রসারণ তাদের উন্নয়ন প্রচেষ্টার আরও প্রেক্ষাপট দেয়। প্রতিবেদন অনুযায়ী, জুলাইয়ে শেয়ার বিক্রি থেকে প্রতিষ্ঠানটি প্রায় ৮.৬ বিলিয়ন ডলার বা প্রায় ৬৬.৬১ বিলিয়ন ইউয়ান সংগ্রহ করেছে। প্রথম লেনদেনের দিনে শেয়ারের দাম ৪৬৬% বেড়েছে বলেও প্রতিবেদনে উল্লেখ করা হয়েছে। এসব পরিসংখ্যান উল্লেখযোগ্য অর্থায়ন ও বিনিয়োগকারীদের আগ্রহ দেখায়, পরিকল্পিত মেমোরি পণ্যের প্রযুক্তিগত কার্যকারিতা নয়।
প্রতিষ্ঠিত সরবরাহকারীদের শেয়ারে তাৎক্ষণিক প্রতিক্রিয়া ছিল সীমিত: প্রতিবেদনে উল্লেখিত লেনদেনের সময় মাইক্রনের শেয়ার রাতারাতি প্রায় ১% এবং স্থানীয় লেনদেনে এসকে হাইনিক্সের শেয়ার ০.৮% কমে। সেমিকন্ডাক্টর খাতজুড়ে বিক্রি এবং কৃত্রিম বুদ্ধিমত্তায় ব্যয় নিয়ে উদ্বেগও ছিল, তাই এই দরপতনকে শুধু CXMT-এর ঘোষণার ফল বলা যায় না।
পরবর্তী ঘোষিত সময়সীমা ২০২৬ সালের শেষ। সরাসরি প্রতিযোগিতামূলক তুলনা সম্ভব হওয়ার আগে CXMT-কে বাজারে আনার তারিখের চেয়ে বেশি তথ্য প্রকাশ করতে হবে: মডিউলের স্পেসিফিকেশন, উৎপাদনের পরিমাণ, গ্রাহকের যোগ্যতা যাচাই এবং নির্ভরযোগ্যভাবে কাজ করার প্রমাণ বাণিজ্যিক অর্থটি স্পষ্ট করতে সহায়তা করবে।
এ মুহূর্তে CXMT স্যামসাংয়ের কথিত উৎপাদন-সময়সূচির আগেই পণ্য বাজারে আনার লক্ষ্য নির্ধারণ করেছে এবং আর্কিটেকচারের একটি সুনির্দিষ্ট পদ্ধতি বর্ণনা করেছে। সার্ভার মেমোরিতে তা সুবিধায় রূপ নেবে কি না, তা শুধু ক্যালেন্ডারের ওপর নয়, ব্যবহারযোগ্য উৎপাদন ও গ্রাহকদের গ্রহণের ওপর নির্ভর করবে।
মূল বিষয়গুলো
- ২০২৬ সালের শেষ নাগাদ 4F2 DRAM ব্যবহার করে DDR5 নিবন্ধিত সার্ভার মেমোরি বাজারে আনার পরিকল্পনা করেছে CXMT।
- একই ন্যূনতম ফিচার সাইজে 4F2 সেল তাত্ত্বিকভাবে 6F2 সেলের চেয়ে এক-তৃতীয়াংশ ছোট।
- CXMT-এর দাবি, তাদের ভার্টিক্যাল সারাউন্ডিং গেট ট্রানজিস্টর লিকেজ কমায় এবং বেশি ঘনত্বে মেমোরি তৈরিতে সহায়তা করে।
- প্রতিবেদনে বলা হয়েছে, স্যামসাংয়ের লক্ষ্য ২০২৮ সালে গণউৎপাদন শুরু করা; এসকে হাইনিক্স ২০২৫ সালে সংশ্লিষ্ট রোডম্যাপ প্রকাশ করেছে।
- বিস্তারিত পণ্যের স্পেসিফিকেশন, উৎপাদন-ইল্ড বা সুনির্দিষ্ট বাজারে আসার তারিখ প্রকাশ করেনি CXMT।
- আগে পণ্য বাজারে এলেই বৃহৎ পরিসরে উৎপাদন বা সার্ভার গ্রাহকদের গ্রহণে এগিয়ে থাকার প্রমাণ হয় না।
