প্রতিদ্বন্দ্বীরা ভিন্ন পথে এগোলেও ওয়েফার বন্ডিং ও 3D মেমোরিতে বাজি মাইক্রনের, 4F² DRAM প্রত্যাখ্যান

মেমোরির আগামী দশকের জন্য ভিন্ন পথ বেছে নিয়েছে মাইক্রন

স্যামসাং ইলেকট্রনিকস, এসকে হাইনিক্স ও চীনের চ্যাংশিন মেমোরি টেকনোলজিস (CXMT) যে ছোট 4F² নকশা নিয়ে কাজ করছে, সেটি গ্রহণ না করে মাইক্রন টেকনোলজি তাদের বিদ্যমান 6F² DRAM সেল কাঠামোর উন্নয়ন চালিয়ে যাবে। তাদের বিকল্প পরিকল্পনায় রয়েছে প্রচলিত DRAM-এর আরও উন্নতি, ওয়েফার বন্ডিং এবং পরবর্তী পর্যায়ে 3D DRAM-এর উন্নয়ন।

২০২৬ সালের ২১ অক্টোবরের প্রযুক্তিবিষয়ক ওয়েবিনারে মাইক্রন পরবর্তী বড় পদক্ষেপের নির্দিষ্ট সময় জানায়: ২০২৭ সালের দ্বিতীয়ার্ধে আইডাহোর বোইসে 1-delta DRAM-এর ব্যাপক উৎপাদন। প্রতিষ্ঠানটির লক্ষ্য, বর্তমান 1-gamma প্রজন্মের তুলনায় বিট ঘনত্ব ২০ শতাংশের মাঝামাঝি হারে বাড়ানো, অর্থাৎ একই চিপ এলাকায় আরও বেশি তথ্য সংরক্ষণ করা।

মাইক্রনের প্রেসিডেন্ট এবং প্রধান প্রযুক্তি ও পণ্য কর্মকর্তা স্কট ডিবোয়ার বলেন, 4F² আরও সংকুচিত করার পথে মৌলিক ভৌত সমস্যা রয়েছে বলে প্রতিষ্ঠানটি মনে করে। মাইক্রনের উপস্থাপনায় বলা হয়, তারা ২০ বছরের বেশি সময় ধরে এই স্থাপত্য নিয়ে গবেষণা করেছে এবং এটিকে আরও ছোট করার কোনো কার্যকর পথ পায়নি।

স্যামসাং ও এসকে হাইনিক্স ভিন্ন পথে এগোচ্ছে। 3D DRAM-এ যাওয়ার আগে 4F²-কে বাস্তবসম্মত করে তুলতে উভয় প্রতিষ্ঠানই উল্লম্ব ট্রানজিস্টর কাঠামো নিয়ে গবেষণা করছে। উন্নত চিপ তৈরির সরঞ্জাম ব্যবহারে বিধিনিষেধের মুখেও CXMT সার্ভার মেমোরির জন্য এই নকশা নিয়ে কাজ করছে।

প্রতিযোগিতার কেন্দ্রে একটি বাস্তব প্রশ্ন: কোন পদ্ধতিতে কম খরচে আরও নির্ভরযোগ্য মেমোরি তৈরি করা যাবে? মাইক্রনের বাজি হলো, পরিচিত সেল নকশা বজায় রেখে চিপ তৈরি ও সংযোগের পদ্ধতি বদলালে 4F²-এ যাওয়ার চেয়ে গ্রাহকেরা বেশি সুবিধা পাবেন।

ছোট সেল নিয়ে এত বিতর্ক কেন

DRAM হলো কম্পিউটারের দ্রুত প্রয়োজনীয় তথ্য ধরে রাখার কর্মক্ষম মেমোরি। প্রচলিত প্রতিটি মেমোরি সেলে একটি বিট তথ্য থাকে। এতে থাকে একটি ট্রানজিস্টর, যা সুইচের মতো কাজ করে, এবং একটি ক্যাপাসিটর, যা বৈদ্যুতিক চার্জ ধরে রাখে।

6F² ও 4F²—এই সংকেতগুলো উৎপাদনের একটি মাত্রা F-এর তুলনায় সেলের জায়গার পরিমাণ বোঝায়। F একই থাকলে ছয় একক এলাকা থেকে চার এককে নামলে নামমাত্র সেল এলাকা এক-তৃতীয়াংশ কমবে। আদর্শ বিন্যাসে একই এলাকায় ৫০ শতাংশ বেশি সেল রাখা সম্ভব হবে, কারণ ছয়কে চার দিয়ে ভাগ করলে ১.৫ হয়।

মাইক্রনের আপত্তির মূল বিষয় ক্যাপাসিটর। ট্রানজিস্টর কম জায়গা নিতে উল্লম্বভাবে বসানো হলেও, তার ওপরের ক্যাপাসিটরগুলোর যথেষ্ট জায়গা দরকার, যাতে সেগুলো স্থিতিশীল থাকে, চার্জ ধরে রাখে এবং পাশের সেলগুলোর সঙ্গে পারস্পরিক বাধা এড়ায়। ডিবোয়ার বলেন, ক্যাপাসিটরের পিচ—অর্থাৎ ক্যাপাসিটারগুলোর মধ্যকার দূরত্ব—DRAM বিট ঘনত্বের মৌলিক সীমা নির্ধারণ করে।

প্রশ্নোত্তর পর্বে ডিবোয়ার মাইক্রনের যুক্তি ব্যাখ্যা করেন:

4F² আরও ছোট করার ক্ষেত্রে মৌলিক সমস্যা রয়েছে, যার পরিণতিতে 4F²-এর বদলে শেষ পর্যন্ত 3D DRAM আসবে।

উৎপাদনেও আরও সীমাবদ্ধতা রয়েছে। লম্বা ও সরু কাঠামো একইভাবে তৈরি করা কঠিন; অন্যদিকে, আরও পাতলা বৈদ্যুতিক সংযোগে রোধ বেশি হতে পারে এবং সংকেত চলাচল ধীর হতে পারে। এসব সমস্যা সমাধানের পর একটি ওয়েফার থেকে কতগুলো কার্যকর বিট পাওয়া যায়, তার ওপরই বাণিজ্যিক সুবিধা নির্ভর করে।

মাইক্রনের উৎপাদন পরিকল্পনা ও সময়সূচি

মাইক্রনের ভাষ্য, তাদের 1-gamma প্রযুক্তি ইতিমধ্যে ব্যাপক উৎপাদনে রয়েছে এবং আগামী ১২ মাসে চালু হওয়া পণ্যগুলোর ভিত্তি হবে। পরবর্তী প্রজন্ম 1-delta দিয়ে HBM5, উল্লম্ব HBM এবং ডিভাইসটির কাছাকাছি এআই ইনফারেন্সের জন্য মেমোরিসহ বিভিন্ন পণ্য সমর্থনের পরিকল্পনা রয়েছে।

এর পরের 1-epsilon প্রজন্মে DRAM-এর রোডম্যাপে ওয়েফার বন্ডিং যুক্ত হবে। এই প্রক্রিয়ায় আলাদাভাবে তৈরি ওয়েফারগুলো জোড়া লাগানো যায়, ফলে মেমোরি সেল ও সেগুলোকে সহায়তা করা সার্কিট ভিন্ন উৎপাদনধাপে তৈরির ক্ষেত্রে প্রকৌশলীরা আরও স্বাধীনতা পান।

পরবর্তী প্রজন্মের জন্য মাইক্রন হাই-NA EUV লিথোগ্রাফি ও নতুন উপকরণকেও গুরুত্বপূর্ণ সরঞ্জাম হিসেবে চিহ্নিত করেছে। হাই-NA EUV-তে উন্নত অপটিক্যাল ব্যবস্থা ব্যবহার করে চিপের আরও সূক্ষ্ম নকশা তৈরি করা হয়। এ কাজের পাশাপাশি রোডম্যাপে 3D DRAM উন্নয়নের দুটি ধাপ রয়েছে, যার নাম 3D1 ও 3D2।

• ২১ অক্টোবর, ২০২৬: 6F² ধরে রেখে ওয়েফার বন্ডিং এবং 3D DRAM উন্নয়নের সিদ্ধান্ত জানায় মাইক্রন।
• ২০২৭ সালের দ্বিতীয়ার্ধ: বোইসে 1-delta DRAM-এর ব্যাপক উৎপাদনের লক্ষ্য মাইক্রনের।
• ২০২৭ সালের দ্বিতীয়ার্ধ: একই সময়ে Generation 11 NAND-এর উৎপাদনও বাড়ানো শুরু করার কথা রয়েছে।
• পরবর্তী DRAM প্রজন্ম: 1-epsilon-এ ওয়েফার বন্ডিং যুক্ত হবে; এরপর উন্নত লিথোগ্রাফি, নতুন উপকরণ ও 3D DRAM নিয়ে কাজ চলবে।
• ২০২৭ থেকে ২০৩০: মাইক্রনের HBM রোডম্যাপে ধারাবাহিকভাবে HBM4E, HBM5, HBM5E ও HBM6 রয়েছে।

3D DRAM-এর বাণিজ্যিক উদ্বোধনের কোনো নির্দিষ্ট তারিখ জানায়নি মাইক্রন। ডিবোয়ার বলেন, এই রূপান্তর ব্যয়, উৎপাদনের জটিলতা এবং ডিভাইসের কর্মক্ষমতার ওপর নির্ভর করবে। তবে প্রচলিত সমতল DRAM-এর আরও কয়েকটি প্রজন্মের উন্নয়ন নিয়ে তিনি আত্মবিশ্বাস প্রকাশ করেন।

উল্লম্ব ট্রানজিস্টর নিয়ে কাজ করছে স্যামসাং ও এসকে হাইনিক্স

স্যামসাংয়ের পদ্ধতিতে রয়েছে উল্লম্ব চ্যানেল ট্রানজিস্টর, ওয়েফার বন্ডিং এবং ইন্ডিয়াম গ্যালিয়াম জিঙ্ক অক্সাইড বা IGZO নামের অক্সাইড সেমিকন্ডাক্টর নিয়ে গবেষণা। তাদের উন্নত 4F² গবেষণা প্রায় পাঁচ বছর ধরে চলছে।

অনাকাঙ্ক্ষিত বৈদ্যুতিক চার্জ বেরিয়ে যাওয়া, অর্থাৎ লিকেজ কারেন্ট কমানোর উপায় হিসেবে IGZO নিয়ে গবেষণা হচ্ছে। লিকেজ গুরুত্বপূর্ণ, কারণ কম্পিউটার যেন নির্ভরযোগ্যভাবে তথ্য পড়তে পারে, সে জন্য DRAM সেলকে যথেষ্ট সময় চার্জ ধরে রাখতে হয়। স্যামসাংয়ের বন্ডিং ধারণায় মেমোরি সেল থাকা ওয়েফারকে সহায়ক সার্কিট থাকা ওয়েফার থেকে আলাদা রেখে পরে জোড়া লাগানো হয়।

এসকে হাইনিক্স 4F² উল্লম্ব গেট প্ল্যাটফর্ম ও ওয়েফার বন্ডিং একত্র করার গবেষণার কথা জানিয়েছে। দীর্ঘমেয়াদে 3D DRAM-এর প্রস্তুতির পাশাপাশি এই স্থাপত্যের মাধ্যমে ঘনত্ব বাড়ানো ও বিদ্যুৎ খরচ কমানো তাদের কৌশলের অংশ।

শিল্পখাতের পূর্বাভাসে কোরীয় প্রতিষ্ঠানগুলোর 4F² উৎপাদন ২০২৭ থেকে ২০২৮ সালের মধ্যে শুরু হতে পারে বলে ধারণা করা হয়েছে। তবে আরও সতর্ক পূর্বাভাসে প্রতিষ্ঠিত সরবরাহকারীদের কাছ থেকে উল্লেখযোগ্য উৎপাদন ২০২৮ সালের শেষ দিকে বা তার পরে আসার কথা বলা হয়েছে। এসব পূর্বাভাস নির্ভর করছে উন্নয়ন, গ্রাহকের অনুমোদন এবং উৎপাদন ফলনের ওপর; উৎপাদিত চিপের যে অংশ ঠিকমতো কাজ করে, সেটিই উৎপাদন ফলন।

তাই প্রতিদ্বন্দ্বী কৌশলগুলোতে ওয়েফার বন্ডিং একটি অভিন্ন উপকরণ। স্যামসাং ও এসকে হাইনিক্স 4F² কার্যকর করতে এটি ব্যবহারের লক্ষ্য নিয়েছে। মাইক্রন 6F² ধরে রেখেই এটি ব্যবহারের পরিকল্পনা করছে। মতভেদটি সেল স্থাপত্য ও উন্নয়নের ক্রম নিয়ে, বন্ডিংয়ের ভূমিকা আছে কি না তা নিয়ে নয়।

সরঞ্জাম ব্যবহারের বিধিনিষেধ এড়ানোর পথ খুঁজছে CXMT

4F² নিয়ে CXMT-এর আগ্রহের পেছনে আরেকটি কারণ আছে: চরম অতিবেগুনি লিথোগ্রাফি সরঞ্জাম ব্যবহারে বিধিনিষেধ। পুরোনো আর্গন ফ্লুরাইড লিথোগ্রাফি সরঞ্জাম ব্যবহার করেও ঘনত্ব বাড়াতে পারে, এমন কাঠামোগত পরিবর্তন নিয়ে প্রতিষ্ঠানটি কাজ করছে।

তাদের প্রস্তাবিত পদ্ধতিতে ১২ ইঞ্চি ব্যাসের ওয়েফারে উল্লম্ব গেট কাঠামো ও হাইব্রিড বন্ডিং একত্র করা হয়েছে। মেমোরি অ্যারে ও পেরিফেরাল লজিক সার্কিট আলাদাভাবে তৈরি করে পরে সংযুক্ত করা হয়। এ পদ্ধতির সঙ্গে সংশ্লিষ্ট হিসাব অনুযায়ী, সংরক্ষণ ঘনত্ব ৩০ থেকে ৫০ শতাংশ বাড়তে পারে।

সার্ভারের জন্য DDR5 রেজিস্টার্ড মেমোরি মডিউল—যা RDIMM নামে পরিচিত—তৈরির লক্ষ্য নিয়েছে CXMT। ২০২৬ সালের শেষ হওয়ার আগেই পণ্য বাজারে আনার লক্ষ্য ঘোষণা করেছে প্রতিষ্ঠানটি। একই বছরের মধ্যে গ্রাহকের অনুমোদন পাওয়ারও লক্ষ্য রয়েছে। উৎপাদন ফলন, সরবরাহের পরিমাণ এবং ব্যাপক বাণিজ্যিক উৎপাদন বাড়ানোর সময়সূচি প্রকাশ করা হয়নি।

এর ফলে ঘোষণা থেকে বাজারে সরবরাহ উল্লেখযোগ্যভাবে বাড়ানো পর্যন্ত বেশ কয়েকটি ধাপ বাকি রয়েছে। সার্ভার গ্রাহকদের মেমোরিটি অনুমোদন করতে হবে, আর CXMT-কে এমন খরচে ধারাবাহিকভাবে উৎপাদন করতে হবে, যাতে বড় পরিসরে সরবরাহ করা সম্ভব হয়।

গোল্ডম্যান স্যাকসের পূর্বাভাস অনুযায়ী, CXMT-এর মাসিক DRAM ওয়েফার উৎপাদনক্ষমতা ২০২৬ সালের শেষে ২ লাখ ৯০ হাজার থেকে বেড়ে ২০২৮ সালের শেষে ৫ লাখ ১৩ হাজারে পৌঁছাবে। অর্থাৎ ২ লাখ ২৩ হাজার ওয়েফার, বা প্রায় ৭৭ শতাংশ বৃদ্ধি। ব্যাংকটির হিসাব, ২০২৮ সালের মধ্যে চীনের DRAM চাহিদার প্রায় ৫০ শতাংশ এবং HBM চাহিদার ৪০ শতাংশ মেটাতে পারে CXMT।

HBM তৈরিতে মেমোরি সেল উৎপাদনের বাইরেও বাড়তি সক্ষমতা দরকার। এর জন্য উন্নত প্যাকেজিং, স্তূপ করা চিপের মধ্য দিয়ে নির্ভরযোগ্য সংযোগ এবং সক্ষম বেস লজিক ডাইও প্রয়োজন। প্রয়োজনীয় সরঞ্জাম ও উৎপাদন প্রক্রিয়ায় প্রবেশাধিকার বিভিন্ন মেমোরি বাজারে CXMT কত দ্রুত সম্প্রসারিত হতে পারবে, তা নির্ধারণে ভূমিকা রাখবে।

উল্লম্ব HBM-এ প্রসেসরের ঠিক ওপরে বসবে মেমোরি

মাইক্রনের উল্লম্ব HBM প্রস্তাবে এআই সিস্টেমে মেমোরি কোথায় থাকবে, তা বদলে যাবে। প্রচলিত HBM-এও একাধিক DRAM চিপ স্তূপ করে রাখা হয়, তবে সেই স্তূপ সাধারণত প্রসেসরের পাশে একটি ইন্টারপোজারের ওপর থাকে। ইন্টারপোজার হলো এমন একটি সংযোগকারী প্ল্যাটফর্ম, যা বিভিন্ন উপাদানের মধ্যে সংকেত বহন করে।

উল্লম্ব HBM-এ মেমোরি সরাসরি প্রসেসরের ওপর বসে। মেমোরি ও কম্পিউটিং হার্ডওয়্যারের মধ্যে আরও ছোট ও ঘন সংযোগ তৈরি করতে মাইক্রন হাইব্রিড বন্ডিং ব্যবহার করার পরিকল্পনা করেছে। এতে খুব কাছাকাছি থাকা সংযোগবিন্দুগুলো জোড়া লাগানো হয়।

এর মূল লক্ষ্য ব্যান্ডউইথ বাড়ানো, অর্থাৎ প্রতি সেকেন্ডে আরও বেশি তথ্য স্থানান্তর করা। এআই প্রসেসরকে মেমোরি ও কম্পিউটিং সার্কিটের মধ্যে বারবার বিপুল পরিমাণ তথ্য আদান-প্রদান করতে হয়। দ্রুত সংযোগ থাকলে প্রসেসর তথ্যের অপেক্ষায় কম সময় কাটিয়ে বেশি সময় হিসাব করতে পারে।

তাপের কারণে নকশাটি কঠিন হয়ে উঠেছে। শক্তিশালী প্রসেসর প্রচুর তাপ তৈরি করে, আর তার ওপর বসানো মেমোরিকে সেই পরিবেশেও নির্ভরযোগ্যভাবে কাজ করতে হয়। ডিবোয়ার বলেন, উল্লম্ব HBM-এর মূল চালিকা শক্তি ব্যান্ডউইথ; তাপজনিত সীমাবদ্ধতার কারণে মেমোরির ধারণক্ষমতা অন্য গতিতে বাড়বে।

মাইক্রন তাপ ব্যবস্থাপনার নানা পদ্ধতি নিয়ে কাজ করছে, যার মধ্যে HBM বেস ডাইয়ের বেশি গরম অংশের ওপর হিট স্প্রেডার বসানোও রয়েছে। প্রতিষ্ঠানটি উল্লম্ব এজ ইনফারেন্স মেমোরি বা vEIM নিয়েও কাজ করছে; প্রতি মডিউলে প্রাথমিক ব্যান্ডউইথের লক্ষ্য প্রায় ২ টেরাবাইট প্রতি সেকেন্ড। এজ ইনফারেন্স বলতে তথ্য সংগ্রহ বা ব্যবহারের স্থানটির কাছাকাছি এআই মডেল চালানো বোঝায়।

মাইক্রনের পরিকল্পনায় উল্লম্ব কাঠামোর কয়েকটি ধরন রয়েছে: ওয়েফার বন্ডিং, প্রসেসরের ওপরে মেমোরি চিপ স্তূপ করা এবং শেষ পর্যন্ত 3D DRAM সেল কাঠামো তৈরি করা। সীমিত জায়গায় আরও বেশি মেমোরি ও দ্রুত সংযোগ বসানোর সমস্যার ভিন্ন ভিন্ন দিক সমাধান করে প্রতিটি পদ্ধতি।

বার্ষিক HBM উন্নয়নের সঙ্গে সরবরাহের টানাপোড়েন

মাইক্রনের পণ্য রোডম্যাপে ২০২৬ সালে HBM4, ২০২৭ সালে HBM4E, ২০২৮ সালে HBM5, ২০২৯ সালে HBM5E এবং ২০৩০ সালে HBM6 রয়েছে। এ সময়সূচিতে প্রতি বছর নতুন পণ্য আনার প্রতিষ্ঠানের পরিকল্পনা তুলে ধরা হয়েছে; প্রচলিত ও কাস্টমাইজড পণ্যের পাশাপাশি নতুন উল্লম্ব নকশার উন্নয়নও চলবে।

মাইক্রনের ভাষ্য, তাদের বর্তমান HBM4 ইতিমধ্যে ব্যাপক উৎপাদনে রয়েছে। ১২টি মেমোরি ডাইয়ের একটি স্তূপে ৩৬ গিগাবাইট ধারণক্ষমতা এবং প্রতি সেকেন্ডে ২.৮ টেরাবাইটের বেশি ব্যান্ডউইথ রয়েছে। প্রতিটি পিনে গতি প্রতি সেকেন্ডে ১১ গিগাবিটের বেশি।

প্রতিষ্ঠানটির দাবি, HBM3E-এর তুলনায় এর বিদ্যুৎ সাশ্রয় ২০ শতাংশের বেশি। ১৬টি মেমোরি ডাই ও ৪৮ গিগাবাইট ধারণক্ষমতার একটি সংস্করণের নমুনাও গ্রাহকদের দেখানো হচ্ছে। কাস্টমাইজড পণ্যে বেস ডাইয়ে গ্রাহকভিত্তিক মেমোরি ও লজিক ফাংশন যুক্ত করার কথা রয়েছে; পাশাপাশি প্রচলিত পণ্যও থাকবে।

মাইক্রন জানিয়েছে, ২০২৬ সালের জন্য তাদের HBM সরবরাহ সম্পূর্ণ বিক্রি হয়ে গেছে। প্রধান নির্বাহী সঞ্জয় মেহরোত্রার ধারণা, ২০২৭ ও ২০২৮ সালেও চাহিদার তুলনায় সরবরাহ কম থাকবে। সিঙ্গাপুরে বাড়তি প্যাকেজিং সক্ষমতা ২০২৭ সালের প্রথমার্ধে কাজে লাগবে বলে আশা করা হচ্ছে।

এ সরবরাহ-সংকট এআই সিস্টেমের পরিকল্পনাকারী ক্রেতাদের জন্য গুরুত্বপূর্ণ। বেশি মেমোরি ব্যান্ডউইথ সিস্টেমের কর্মক্ষমতা বাড়াতে পারে, তবে গ্রাহকদের নির্ভরযোগ্য সরবরাহ, নিয়ন্ত্রণযোগ্য বিদ্যুৎ ব্যবহার এবং কাজের চাপ সামলানোর মতো যথেষ্ট ধারণক্ষমতাও দরকার। গ্রাহকদের সঙ্গে ঘনিষ্ঠভাবে পণ্য উন্নয়নের মাধ্যমে এসব চাহিদা একসঙ্গে মেটাতে চাইছে মাইক্রন।

একই রোডম্যাপে ফোন, সার্ভার ও স্টোরেজ

মাইক্রনের পরিকল্পনা HBM-এর বাইরেও বিস্তৃত। প্রতিষ্ঠানটির পূর্বাভাস, LPDDR6-এ LPDDR5-এর তুলনায় বিদ্যুৎ ব্যবহারের দক্ষতা প্রায় ৩৫ শতাংশ বাড়বে; কিছু ধারণক্ষমতায় উন্নতি আরও বেশি হবে। মোবাইল ডিভাইসে LPDDR মেমোরি ব্যবহৃত হয়, আর বিদ্যুৎ ব্যবহারের বৈশিষ্ট্যের কারণে ডেটা সেন্টারেও এর প্রতি আগ্রহ বাড়ছে।

DDR6-এ DDR5-এর প্রায় দ্বিগুণ ব্যান্ডউইথ দেওয়ার লক্ষ্য রয়েছে। সম্প্রতি নমুনা দেখানো ৫১২ গিগাবাইটের মডিউলের পর সার্ভারের জন্য ১ টেরাবাইট ধারণক্ষমতার RDIMM তৈরির পরিকল্পনাও করেছে মাইক্রন। বড় মডিউলে সার্ভারের কর্মক্ষম মেমোরিতে আরও বেশি তথ্য রাখা যায়।

NAND ফ্ল্যাশে—যা বিদ্যুৎ বন্ধ থাকলেও সংরক্ষিত তথ্য ধরে রাখে—২০২৭ সালের দ্বিতীয়ার্ধে Generation 11-এর উৎপাদন বাড়ানো শুরু করার লক্ষ্য মাইক্রনের। নকশাটিতে ওয়েফার বন্ডিং ও ৪০০টির বেশি স্তর রয়েছে। মাইক্রনের দাবি, Generation 9-এর তুলনায় এতে বিট ঘনত্ব দ্বিগুণের বেশি হবে, ইনপুট ও আউটপুটের গতি ১.৫ গুণ করার লক্ষ্য থাকবে এবং প্রতি বিটে তথ্য স্থানান্তরের শক্তি খরচ ২৫ শতাংশের বেশি কমবে।

NAND-এ চীনা প্রতিযোগিতাও বাড়ছে। Omdia-র হিসাব অনুযায়ী, দ্বিতীয় প্রান্তিকে বৈশ্বিক NAND বাজারে ইয়াংজি মেমোরি টেকনোলজিসের অংশ ছিল ১৪.২ শতাংশ, আর স্যামসাংয়ের ২৮.১ শতাংশ। চীনের অভ্যন্তরীণ বাজারে YMTC-র অংশ ছিল ৩৮.৭ শতাংশ, স্যামসাংয়ের ৩৩.৪ শতাংশের চেয়ে বেশি। NAND-এ বহু বছর ধরেই উল্লম্বভাবে সেল স্তূপ করা হচ্ছে; কিন্তু সেল নকশার কারণে DRAM-এর এই রূপান্তর বেশি কঠিন।

কার্যকর চিপ ও উৎপাদন খরচেই নির্ধারিত হবে প্রতিযোগিতার ফল

মাইক্রনের সিদ্ধান্তে প্রকৌশলগত প্রচেষ্টা 6F²-এর উন্নয়ন, বন্ডিংয়ের উন্নতি এবং 3D কাঠামোর প্রস্তুতির দিকে যাচ্ছে। স্যামসাং, এসকে হাইনিক্স ও CXMT ছোট সেল স্থাপত্য নির্ভরযোগ্যভাবে কার্যকর করার দিকে মনোযোগ দিচ্ছে। উভয় পথেই উৎপাদনসংক্রান্ত ঝুঁকি রয়েছে।

4F²-এর ক্ষেত্রে চ্যালেঞ্জের মধ্যে রয়েছে ক্যাপাসিটরের দূরত্ব, লিকেজ, সরু বৈদ্যুতিক সংযোগ এবং উল্লম্ব ট্রানজিস্টরের ভেতরে চার্জ নিয়ন্ত্রণ। বন্ডিংয়ের জন্যও অত্যন্ত নিখুঁতভাবে সারিবদ্ধ করা দরকার। বাড়তি প্রক্রিয়ার ধাপ ও উন্নয়ন খরচ পুষিয়ে নিতে যথেষ্ট কার্যকর মেমোরি উৎপাদন করা গেলে তবেই আর্থিক লাভ হবে।

যেকোনো কৌশলেই সরঞ্জাম সরবরাহকারীদের চাহিদা বদলাচ্ছে। অ্যাটমিক লেয়ার ডিপোজিশনে কাঠামোর ওপর অত্যন্ত পাতলা আস্তরণ দেওয়া হয়, আর এচিংয়ের মাধ্যমে সরু ও গভীর আকৃতি তৈরি করতে উপাদান সরানো হয়। মেমোরি কাঠামো আরও লম্বা ও জটিল হওয়ার সঙ্গে সঙ্গে দুটিই গুরুত্বপূর্ণ হয়ে উঠছে।

সরবরাহ-সংকটের সম্ভাবনা ও ভবিষ্যতে চীনের সম্প্রসারণ—এই দুই প্রতিযোগী পরিস্থিতি নিয়ে বিনিয়োগকারীদের প্রতিক্রিয়া ছিল তীব্র। ১৬ অক্টোবর CXMT-এর অগ্রগতি নিয়ে উদ্বেগের মধ্যে মাইক্রনের শেয়ার ৩ শতাংশের বেশি এবং এসকে হাইনিক্সের শেয়ার ৫ শতাংশের বেশি কমে যায়। ২১ অক্টোবর দক্ষিণ কোরিয়ার লেনদেনে স্যামসাং ও এসকে হাইনিক্সের শেয়ার পরে প্রায় ৬ শতাংশ বেড়ে যায়, যা প্রত্যাশা কত দ্রুত বদলেছে তা তুলে ধরে।

ক্রেতাদের জন্য আরও তাৎক্ষণিক উদ্বেগ হলো, তাদের পণ্যের জন্য কতটা মেমোরি পাওয়া যাবে। কিব্যাংক বিশ্লেষক জন ভিনের পূর্বাভাস, ডেটা সেন্টারের দিকে উৎপাদনক্ষমতা সরিয়ে নেওয়ায় ২০২৭ সালে পিসি ও স্মার্টফোনের জন্য মেমোরি সরবরাহ ২০ থেকে ৩০ শতাংশ কমতে পারে। তার মূল্য পূর্বাভাসে ২০২৬ সালের চতুর্থ প্রান্তিকে DRAM-এর দাম ১৫ থেকে ২০ শতাংশ এবং NAND-এর দাম প্রায় ২০ শতাংশ বাড়ার কথা রয়েছে।

পরবর্তী নির্দিষ্ট মাইলফলকগুলোর মধ্যে রয়েছে ২০২৬ সালের শেষ হওয়ার আগে CXMT-এর সার্ভার মেমোরি বাজারে আনার পরিকল্পনা, ২০২৭ সালের শুরুতে মাইক্রনের অতিরিক্ত প্যাকেজিং সক্ষমতা চালু হওয়া এবং ২০২৭ সালের দ্বিতীয়ার্ধে 1-delta ও Generation 11 NAND-এর উৎপাদন বাড়ানো। গ্রাহকের অনুমোদন, কার্যকর চিপের উৎপাদন এবং উৎপাদন খরচ দেখাবে, প্রতিদ্বন্দ্বী পরিকল্পনাগুলো কীভাবে পণ্যে রূপ নিচ্ছে।

মূল বিষয়গুলো

• মাইক্রন 4F² DRAM প্রত্যাখ্যান করে 6F²-এর উন্নয়ন, ওয়েফার বন্ডিং যুক্ত করা এবং 3D DRAM তৈরির পথ বেছে নিয়েছে।
• 2027 সালের দ্বিতীয়ার্ধে বোইসে 1-delta DRAM-এর ব্যাপক উৎপাদন শুরুর লক্ষ্য রয়েছে; ঘনত্ব বাড়ানোর লক্ষ্য ২০ শতাংশের মাঝামাঝি হারে।
• স্যামসাং ও এসকে হাইনিক্স বন্ডিং এবং দীর্ঘমেয়াদি 3D DRAM উন্নয়নের পাশাপাশি 4F² উল্লম্ব ট্রানজিস্টর কাঠামো নিয়ে গবেষণা করছে।
• ২০২৬ সালের শেষ হওয়ার আগে 4F² সার্ভার মেমোরি বাজারে আনার লক্ষ্য CXMT-এর; উৎপাদনের পরিসর এখনো জানানো হয়নি।
• উল্লম্ব HBM-এ ব্যান্ডউইথ বাড়াতে মেমোরি সরাসরি প্রসেসরের ওপরে বসবে; তাপ ব্যবস্থাপনা বড় চ্যালেঞ্জ।
• মাইক্রন ২০৩০ সাল পর্যন্ত ধারাবাহিক HBM প্রজন্মের পরিকল্পনা করেছে এবং ২০২৭ ও ২০২৮ সালেও মেমোরির সরবরাহ টানাটানি থাকবে বলে আশা করছে।