পরিপক্বতা ও কম খরচের প্রত্যাশায় ২০৩০ সালে High-NA EUV উৎপাদনের লক্ষ্য TSMC-এর

২০৩০ সালে শুরু, এরপর বড় মাস্কে রূপান্তর

উন্নত চিপের ব্যাপক উৎপাদনে ২০৩০ সালে ASML-এর High-NA EUV লিথোগ্রাফি প্রযুক্তি ব্যবহার শুরু করার পরিকল্পনা করেছে TSMC। যন্ত্রটি নিয়ে Intel অভিজ্ঞতা অর্জন করলেও আরও প্রস্তুত উৎপাদনব্যবস্থা ও উপযোগী খরচের জন্য অপেক্ষা করছে প্রতিষ্ঠানটি। চেয়ারম্যান ও প্রধান নির্বাহী কর্মকর্তা সি.সি. ওয়েইয়ের মতে, দেরিতে শুরু করায় তাইওয়ানের চিপ নির্মাতা প্রতিযোগিতায় পিছিয়ে পড়বে না।

সময়সূচিতে দুটি ধাপ রয়েছে। শুরুতে TSMC বর্তমানে ব্যবহৃত ৬ ইঞ্চি ফটোমাস্ক ব্যবহার করবে, যাতে সিলিকন ওয়েফারে স্থানান্তরিত সার্কিটের নকশা থাকে। ASML-এর সঙ্গে যৌথ শিল্প উদ্যোগের লক্ষ্য, ২০৩১ সালের মধ্যে বড়, ১২ ইঞ্চি মাস্কের জন্য একটি পাইলট লাইন চালু করা। এরপর ২০৩৩ সালের মধ্যে উন্নত চিপ উৎপাদনে সহায়তার উপযোগী লিথোগ্রাফি ব্যবস্থা প্রস্তুত করার লক্ষ্য রয়েছে।

ASML ও TSMC ২০২৬ সালের ৮ সেপ্টেম্বরের যৌথ প্রযুক্তি ঘোষণায় এসব মাইলফলক তুলে ধরে। প্রতিষ্ঠান দুটি জানায়, ক্যালিফোর্নিয়ার মন্টেরিতে SPIE BACUS সম্মেলনের আগে, এক দিন আগে তারা এই উদ্যোগ গঠন করেছে। তাদের ঘোষিত লক্ষ্য হলো কারখানার উৎপাদনশীলতা বাড়ানো, চিপ তৈরির খরচ কমানো এবং বড় সার্কিট নকশা ছাপানোর ক্ষেত্রে সীমাবদ্ধতা কমানো।

TSMC-এর তৃতীয় প্রান্তিকের বিনিয়োগকারী আলোচনায় ওয়েই ২০৩০ সালে প্রযুক্তিটি গ্রহণের পরিকল্পনা পুনর্ব্যক্ত করেন। তাঁর অবস্থান অনুযায়ী, শক্তিশালী নতুন যন্ত্র কেনা ও ব্যবহারের সিদ্ধান্ত নির্ভর করবে নির্ভরযোগ্যভাবে চিপ উৎপাদনের বাস্তব চাহিদা এবং ক্রেতাদের সাধ্যের মধ্যে থাকা দামের ওপর।

কেন উৎপাদন প্রস্তুতির জন্য অপেক্ষা করছে TSMC

নতুন যন্ত্র ব্যাপক উৎপাদনে ব্যবহারের জন্য ওয়েই তিনটি শর্তের কথা বলেন: প্রযুক্তিগত সক্ষমতা, যুক্তিসংগত খরচ এবং পরিপক্বতা। তিনি পরিপক্বতার ওপর সবচেয়ে বেশি গুরুত্ব দেন। অর্থাৎ, বড় পরিসরে উৎপাদনে নির্ভরযোগ্যভাবে ব্যবহারের জন্য যন্ত্র এবং এর সহায়ক উৎপাদনপ্রক্রিয়া প্রস্তুত থাকতে হবে।

TSMC-এর প্রত্যাশা, ২০৩০ সালে High-NA EUV এসব শর্ত আরও ভালোভাবে পূরণ করবে। প্রতিষ্ঠানটি উৎপাদন দক্ষতা বাড়াচ্ছে এবং ASML-এর সঙ্গে ঘনিষ্ঠভাবে কাজ করছে। পাশাপাশি বিদ্যমান লিথোগ্রাফি প্রযুক্তি ব্যবহার করে উন্নত প্রক্রিয়ার উন্নয়নও চালিয়ে যাচ্ছে।

High-NA এক্সপোজার যন্ত্রের প্রতিটির দাম প্রায় ৪০০ মিলিয়ন মার্কিন ডলার বলে উল্লেখ করা হয়েছে। এ দামে ব্যবসায়িক সিদ্ধান্ত শুধু যন্ত্রটি কত ছোট নকশা ছাপতে পারে, তা দিয়ে নির্ধারিত হয় না। TSMC-কে বিবেচনা করতে হবে, যন্ত্রটি কত ওয়েফার প্রক্রিয়াজাত করতে পারে, কতটা ধারাবাহিকভাবে কাজ করে এবং উৎপাদন থেকে কতটি ব্যবহারযোগ্য চিপ পাওয়া যায়।

সফলভাবে এক্সপোজার ধাপ সম্পন্ন হওয়ার চেয়ে ব্যবহারযোগ্য চিপ ক্রেতার কাছে বেশি গুরুত্বপূর্ণ। কোনো দামি যন্ত্র অন্য উৎপাদনধাপ বাদ দিতে বা উৎপাদন বাড়াতে পারলে তা অর্থনৈতিকভাবে লাভজনক হতে পারে। ওয়েইয়ের সময়সূচি এই প্রত্যাশার ওপর দাঁড়িয়ে আছে যে ২০৩০ সালের মধ্যে প্রযুক্তিগত ও আর্থিক শর্তগুলো TSMC-এর উৎপাদন চাহিদার উপযোগী হবে।

চিপ কারখানায় High-NA-র পরিবর্তন

লিথোগ্রাফিতে আলো ব্যবহার করে প্রলেপ দেওয়া সিলিকন ওয়েফারে সার্কিটের নকশা স্থানান্তর করা হয়। প্রসেসর তৈরির জন্য চিপ নির্মাতারা এই ও অন্যান্য উৎপাদনধাপ বারবার সম্পন্ন করে বহু স্তর তৈরি করেন। EUV-এর পূর্ণরূপ extreme ultraviolet, অর্থাৎ অত্যন্ত সূক্ষ্ম নকশা তৈরিতে ব্যবহৃত আলোর ধরন।

High-NA আলোকীয় ব্যবস্থার উন্নতি ঘটায়। Numerical aperture, সংক্ষেপে NA, আলো সংগ্রহ ও সূক্ষ্ম বিবরণ শনাক্ত করার ক্ষমতা বোঝায়। বর্তমান EUV ব্যবস্থায় NA ০.৩৩; High-NA-তে তা বেড়ে ০.৫৫ হয়।

একবারের এক্সপোজারে ন্যূনতম রেজল্যুশন প্রায় ১৩ ন্যানোমিটার থেকে বেড়ে ৮ ন্যানোমিটারে উন্নীত হয়। এই দুটি পরিসংখ্যানের হিসাবে, শনাক্তযোগ্য ক্ষুদ্রতম মাত্রা প্রায় ৩৮% কমে। কিছু নকশার ক্ষেত্রে এই সূক্ষ্ম রেজল্যুশনের ফলে দুই বা তার বেশি এক্সপোজারের বদলে একটিই যথেষ্ট হতে পারে। এতে উৎপাদনধাপ ও সময় কমবে, পাশাপাশি ত্রুটির ঝুঁকিও হ্রাস পাবে।

তবে আলোকীয় পরিবর্তনে একটি সীমাবদ্ধতাও তৈরি হয়: বর্তমান মাস্ক ব্যবহার করলে প্রচলিত EUV এক্সপোজার ক্ষেত্রের প্রায় অর্ধেক এলাকায় এক্সপোজার ঘটায় High-NA। ফলে বড় চিপের নকশা আলাদা আলাদা এক্সপোজারে ছাপিয়ে stitching নামের প্রক্রিয়ায় জুড়তে হতে পারে। এ কারণে মাস্কের আকার রূপান্তরের একটি গুরুত্বপূর্ণ অংশ, বিশেষ করে কৃত্রিম বুদ্ধিমত্তায় ব্যবহৃত বড় প্রসেসরের ক্ষেত্রে।

বড় ফটোমাস্ক কেন গুরুত্বপূর্ণ

বর্তমান প্রায় ৬ বাই ৬ ইঞ্চি মাস্ক থেকে প্রায় ৬ বাই ১২ ইঞ্চির বড়, ১২ ইঞ্চি মাস্কে যাওয়ার পরিকল্পনা করেছে TSMC ও ASML। এসব মাপ লিথোগ্রাফি যন্ত্রে ব্যবহৃত নকশাযুক্ত মাস্কের। সিলিকন ওয়েফার হলো আলাদা চাকতির মতো বস্তু, যার ওপর চিপ তৈরি হয়।

প্রতিষ্ঠান দুটির প্রত্যাশা, বড় মাস্ক স্ক্যানারের উৎপাদনশীলতা বাড়াবে, চিপ তৈরির খরচ কমাবে এবং stitching-এর সীমাবদ্ধতা দূর করবে। স্ক্যানার হলো সেই লিথোগ্রাফি যন্ত্র, যা মাস্কের নকশা ওয়েফারে প্রক্ষেপণ করে। এর উৎপাদনশীলতা নির্ধারণ করে, দামি যন্ত্রপাতি ব্যবহার করে একটি কারখানা কতটা উৎপাদনকাজ সম্পন্ন করতে পারবে।

ASML-এর প্রেসিডেন্ট ও প্রধান নির্বাহী কর্মকর্তা ক্রিস্টোফ ফুকেট যৌথ ঘোষণায় পরিকল্পিত ধাপগুলো ব্যাখ্যা করেন:

যন্ত্রের আকার ক্রমে ছোট করার রোডম্যাপ ধরে High-NA EUV-এর ব্যবহার ধাপে ধাপে বাড়বে বলে আমরা আশা করি। প্রথমে বর্তমান ৬ ইঞ্চি মাস্ক ব্যবহার করা হবে, এরপর ১২ ইঞ্চি মাস্কের সহায়তায় স্ক্যানারের উৎপাদনশীলতা বাড়বে এবং শিল্পখাত আরও ছোট, দ্রুত ও জ্বালানিসাশ্রয়ী চিপের চাহিদা পূরণ করতে পারবে।

এই রূপান্তরের জন্য স্ক্যানারের বাইরেও কাজ করতে হবে। মাস্ক উৎপাদন, নকশা লেখার যন্ত্র, ব্যবস্থাপনা সরঞ্জাম এবং নকশার সফটওয়্যারকে বড় আকারের মাস্ক সমর্থন করতে হবে। TSMC-এর প্রাথমিক ২০৩০ সালের উৎপাদন পরিকল্পনায় প্রচলিত মাস্কের আকারই ব্যবহার করা হবে; সহায়ক ব্যবস্থা প্রস্তুত হলে বড় আকারের মাস্ক যুক্ত হবে।

২০৩৩ সাল পর্যন্ত মাইলফলক

TSMC-এর সময়সূচিতে ব্যাপক উৎপাদনে প্রথম High-NA ব্যবহারের সঙ্গে পরবর্তী সময়ে বড় মাস্ক চালুর বিষয়টি আলাদা রাখা হয়েছে। যৌথ ঘোষণায় তিনটি উৎপাদন লক্ষ্য দেওয়া হয়েছে, আর কোম্পানির প্রক্রিয়া রোডম্যাপে এর আগে কয়েক প্রজন্মের চিপ তৈরির কথা রয়েছে।

• ২০২৫: TSMC-এর N2 প্রক্রিয়ায় চতুর্থ প্রান্তিকে ব্যাপক উৎপাদন শুরু হয়।
• ২০২৭: A14-এর পরীক্ষামূলক উৎপাদন শুরুর প্রত্যাশা রয়েছে।
• ২০২৮: A14-এর ব্যাপক উৎপাদন শুরুর সময় নির্ধারিত।
• ২০২৯: প্রচলিত EUV প্রযুক্তি ব্যবহার করে A13 ও A12-এর ব্যাপক উৎপাদনে যাওয়ার প্রত্যাশা রয়েছে।
• ২০৩০: বর্তমান ৬ ইঞ্চি মাস্ক ব্যবহার করে উন্নত নোডে High-NA EUV-এর ব্যাপক উৎপাদন শুরুর পরিকল্পনা TSMC-এর।
• ২০৩১: ASML ও TSMC-এর উদ্যোগে ১২ ইঞ্চি ফটোমাস্কের পাইলট লাইন চালুর লক্ষ্য রয়েছে।
• ২০৩৩: বড় মাস্ক ব্যবহার করে উন্নত চিপ উৎপাদনের উপযোগী লিথোগ্রাফি ব্যবস্থা প্রস্তুত করার লক্ষ্য রয়েছে।

সেপ্টেম্বরের ঘোষণায় ২০৩১ ও ২০৩৩ সালের তারিখগুলোকে লক্ষ্য হিসেবে উল্লেখ করা হয়েছে। বৃহত্তর পরিসরে উৎপাদনের আগে পাইলট লাইনে প্রতিষ্ঠানগুলো উৎপাদনপদ্ধতি উন্নয়ন ও পরিমার্জন করতে পারে। পুরো ব্যবস্থার প্রস্তুতির জন্য যন্ত্রপাতি এবং সহায়ক প্রক্রিয়াগুলোকে সমন্বিতভাবে কাজ করতে হবে।

২০৩০ সালে কোন প্রথম প্রক্রিয়া নোডে High-NA ব্যবহার করা হবে, কতটি যন্ত্র বসানোর পরিকল্পনা রয়েছে বা কত খরচ সাশ্রয় হতে পারে, তা TSMC প্রকাশ করেনি। সম্ভাব্য প্রার্থী হিসেবে A10 ও A11 নিয়ে জল্পনা রয়েছে, আর TSMC-এর গবেষণা বিভাগে A10-এর উন্নয়নকাজের কথা জানা গেছে। তবে আনুষ্ঠানিকভাবে প্রযুক্তি গ্রহণের ঘোষণা দিলেও প্রথম নোডটির নাম জানায়নি প্রতিষ্ঠানটি।

Intel ও Samsung এগিয়ে যাচ্ছে

Intel ২০২৪ সালে ওরেগনে তাদের প্রথম বাণিজ্যিক High-NA EUV ব্যবস্থা স্থাপন করে এবং পরবর্তী সময়ে উৎপাদনের নির্দিষ্ট কিছু স্তরে প্রযুক্তিটি ব্যবহার শুরু করে। Intel ও ASML জানিয়েছে, এর ব্যবহার Intel 18A এবং Core Ultra Series 3 নামে বিক্রি হওয়া কিছু Panther Lake প্রসেসরের ক্ষেত্রে হয়েছে।

২০২৬ সালের সেপ্টেম্বর নাগাদ Intel ও ASML জানায়, High-NA যন্ত্র ব্যবহার করে ১০ লাখের বেশি ওয়েফার প্রক্রিয়াজাত হয়েছে। এ সংখ্যার মধ্যে যন্ত্রের কার্যকারিতা যাচাই, পরীক্ষা, গবেষণা এবং নির্দিষ্ট কিছু পণ্যের কিছু উৎপাদনস্তর অন্তর্ভুক্ত। Intel জানায়, High-NA ব্যবহার করে তৈরি 18A-এর নির্দিষ্ট কিছু স্তরে প্রচলিত ০.৩৩ NA EUV-এর সমতুল্য বা তার চেয়ে ভালো কর্মক্ষমতা পাওয়া গেছে।

Samsung-ও ২০২৮ সালের মধ্যে DRAM-এর ব্যাপক উৎপাদনে High-NA EUV চালুর পরিকল্পনা ঘোষণা করেছে। DRAM হলো এমন মেমোরি, যা কম্পিউটার বা অন্য যন্ত্র কাজ করার সময় সাময়িকভাবে তথ্য ধরে রাখে। Samsung-এর প্রত্যাশা, আরও সূক্ষ্ম লিথোগ্রাফি মেমোরি উৎপাদনের কিছু ধাপ সহজ করবে এবং দক্ষতা বাড়াবে।

প্রতিষ্ঠানগুলো তাই ভিন্ন ভিন্ন সময়সূচি ও প্রয়োগক্ষেত্র নিয়ে এগোচ্ছে। Intel নির্দিষ্ট কিছু লজিক চিপের স্তরে কাজের অভিজ্ঞতা গড়ছে, Samsung-এর লক্ষ্য মেমোরি এবং TSMC ২০৩০ সালে High-NA উৎপাদন শুরুর আগে বর্তমান যন্ত্রপাতি ব্যবহারের কৌশল আরও এগিয়ে নিচ্ছে। তিন প্রতিষ্ঠানকেই বড় মাস্কে রূপান্তরের উদ্যোগে অংশীদার হিসেবে চিহ্নিত করা হয়েছে।

High-NA আসার আগেই A14-এর চাহিদা বাড়ছে

TSMC-এর নিকটমেয়াদি প্রক্রিয়া পরিকল্পনা আলাদা সময়সূচিতে এগোচ্ছে। ওয়েই বলেন, N2-এর তুলনায় A14 নিয়ে আরও বেশি ক্রেতার সঙ্গে আলোচনা করছে প্রতিষ্ঠানটি এবং A14 বড় একটি নোড হবে বলে তারা আশা করছেন। নোড হলো উৎপাদন প্রযুক্তির একটি প্রজন্ম, যার নিজস্ব নকশানীতি, কর্মক্ষমতার বৈশিষ্ট্য ও উৎপাদনপ্রক্রিয়া রয়েছে।

A14-এর উৎপাদন শুরুর পরিকল্পিত সময় ২০২৮, অর্থাৎ TSMC-এর High-NA চালুর লক্ষ্যের দুই বছর আগে। A14-এর পরিমার্জিত সংস্করণ হিসেবে বর্ণিত A13-এ ট্রানজিস্টরের ঘনত্ব প্রায় ৬% বাড়বে বলে ধারণা করা হচ্ছে। A12-তে TSMC-এর Super Power Rail নামের ব্যাকসাইড পাওয়ার প্রযুক্তি A14 প্ল্যাটফর্মে যুক্ত হবে।

ব্যাকসাইড পাওয়ার সরবরাহে চিপের পেছন দিয়ে বিদ্যুৎ প্রবাহিত হয়, ফলে অন্যত্র সিগন্যাল সংযোগের জন্য জায়গা খালি থাকে। ওয়েই বলেন, প্রযুক্তিটি গ্রহণের বিষয়টি প্রতিটি পণ্যের চাহিদার ওপর নির্ভর করে: কিছু AI অ্যাক্সিলারেটরে এটি ব্যবহার হতে পারে, তবে স্মার্টফোন পণ্যে নাও হতে পারে।

ওয়েই আরও বলেন, ছোট স্মার্টফোন চিপ এবং অনেক বড় AI অ্যাক্সিলারেটরের উৎপাদন একই সময়ে বাড়ানোর প্রস্তুতি নিচ্ছে TSMC। তিনি উৎপাদন শেখার প্রক্রিয়াকে যুক্তিসংগত বলে বর্ণনা করেন এবং জানান, ক্রেতারা সন্তুষ্ট। ক্রেতাদের তাৎক্ষণিকভাবে নিজেদের পণ্যের উপযোগী প্রক্রিয়া ও বৈশিষ্ট্য বেছে নিতে হবে; উৎপাদনের সরঞ্জামের তালিকায় High-NA যুক্ত হবে পরে।

সূক্ষ্ম সার্কিটের পাশাপাশি বাড়ছে প্যাকেজিং

একাধিক চিপ ও মেমোরি উপাদান যুক্ত করে এমন বড় উন্নত প্যাকেজও তৈরি করছে TSMC। ওয়েই বলেন, রেটিকলের আকারের পাঁচ গুণ পর্যন্ত পণ্য ভালো উৎপাদন-ফলনসহ ব্যাপকভাবে তৈরি করতে পারে প্রতিষ্ঠানটি। রেটিকলের আকারের নয় গুণ এবং শেষ পর্যন্ত ১৪ গুণ প্যাকেজ তৈরির কাজও চলছে।

রেটিকল হলো সার্কিটের নকশাযুক্ত মাস্ক। প্যাকেজিংয়ের আলোচনায় রেটিকলের আকারের গুণিতক দিয়ে একটি সাধারণ লিথোগ্রাফি ক্ষেত্রের তুলনায় জোড়া লাগানো প্যাকেজের আকার বোঝানো হয়। প্যাকেজিংয়ে উপাদানগুলোকে যুক্ত করে কার্যকর ব্যবস্থা তৈরি করা হয়, আর চিপ উৎপাদনের সময় লিথোগ্রাফিতে নকশা তৈরি হয়।

ওয়েই বলেন, CoWoS-ই ক্রেতাদের পছন্দের প্যাকেজিং পদ্ধতি। ভবিষ্যতের খরচ কমাতে প্যানেল ব্যবহার করে এমন CoPoS পদ্ধতিও তৈরি করছে TSMC। AI ব্যবস্থার জন্য বড় প্যাকেজ গুরুত্বপূর্ণ, কারণ এতে একটি সংযোজনে প্রসেসিং চিপ ও মেমোরি কাছাকাছিভাবে যুক্ত করা যায়।

High-NA নিয়ে আনুষ্ঠানিক ঘোষণায় AI প্রয়োগে ব্যবহৃত ক্রমেই জটিল ট্রানজিস্টর স্থাপত্যের কারণে ভবিষ্যতে এ যন্ত্রের চাহিদা বাড়ার বিষয়টি তুলে ধরা হয়েছে। প্রক্রিয়া-প্রজন্ম এগোলে High-NA EUV প্রয়োজন এমন স্তরের সংখ্যাও বাড়বে বলে TSMC-এর প্রত্যাশা। তাই তাদের পরিকল্পনায় আরও সূক্ষ্ম চিপ উৎপাদনের পাশাপাশি বড় ও বেশি সক্ষম প্যাকেজিংও রয়েছে।

ক্রেতার চাহিদা অনুযায়ী সক্ষমতা ও বিনিয়োগ

TSMC-এর সক্ষমতা পরিকল্পনায় চিপ নকশাকারী ক্রেতা এবং নিজস্ব কারখানা পরিচালনাকারী প্রতিষ্ঠান, উভয়ই রয়েছে। ওয়েই বলেন, দুই গোষ্ঠীকেই সমান গুরুত্ব দেয় প্রতিষ্ঠানটি এবং কতটা উৎপাদন সক্ষমতা গড়ে তুলবে, তা নির্ধারণের সময় ক্রেতার নিজস্ব উৎপাদন সক্ষমতাও বিবেচনায় নেয়।

ওয়েই আরও বলেন, সাধারণত ক্রেতাদের বরাদ্দ করা সক্ষমতা পুনর্বিক্রি বা নিলামে বিক্রি করতে দেয় না TSMC। মাস্ক লাইসেন্সিং-সংক্রান্ত বিরল চুক্তিতে ওয়েফারের পরিমাণ খুবই কম থাকে। এই নীতির ফলে ক্রেতাদের পণ্যে উৎপাদন সক্ষমতা কীভাবে ব্যবহৃত হবে, সে বিষয়ে TSMC-এর ভূমিকা আরও সরাসরি থাকে।

প্রধান আর্থিক কর্মকর্তা ওয়েনডেল হুয়াং বলেন, ২০২৬ থেকে ২০২৮ সালের মূলধনী ব্যয় আগের তিন বছরের তুলনায় উল্লেখযোগ্যভাবে বেশি হবে বলে প্রত্যাশা করা হচ্ছে। তবে ২০২৭ সাল ও এর পরের সময়ের বিস্তারিত পরিসংখ্যান জানানো এখনো খুব তাড়াতাড়ি। তিনি বলেন, যন্ত্রপাতি, উপকরণ ও শ্রমের খরচ বাড়ছে; আর দীর্ঘমেয়াদি ক্রেতা চাহিদাই বিনিয়োগের প্রধান চালিকাশক্তি।

পাঁচ বছরের পরিকল্পনাকালের শেষের দিকে বিদেশে কারখানা সম্প্রসারণের কারণে মোট মুনাফার হার ৩ থেকে ৪ শতাংশ পয়েন্ট কমবে বলেও TSMC-এর প্রত্যাশা। এসব ব্যয়ের চাপ High-NA নিয়ে সিদ্ধান্তে উৎপাদন দক্ষতার গুরুত্ব এত বেশি কেন, তা ব্যাখ্যা করে। প্রায় ৪০০ মিলিয়ন মার্কিন ডলারের একটি যন্ত্রকে কারখানার উৎপাদন, ক্রেতার চাহিদা ও মুনাফার বৃহত্তর পরিকল্পনার সঙ্গে মানানসই হতে হবে।

যৌথ ঘোষণায় ওয়েই এই সহযোগিতার উদ্দেশ্য ব্যাখ্যা করেন:

জটিল সমস্যার সমাধানে শিল্পখাত একসঙ্গে কাজ করলে এমন সম্ভাবনার দ্বার উন্মোচিত হয়, যা কোনো একক প্রতিষ্ঠান একা অর্জন করতে পারে না বলে আমরা সব সময়ই বিশ্বাস করেছি।

High-NA উৎপাদন ২০৩০ সালে শুরু করার অঙ্গীকার করেছে TSMC। এরপর শিল্পখাত উন্নয়নের পরবর্তী ধাপ সম্পন্ন করলে বড় মাস্কের মাধ্যমে উৎপাদনশীলতা আরও বাড়ানোর পরিকল্পনা রয়েছে। ভবিষ্যতের চিপ তৈরির প্রক্রিয়া, উৎপাদন সক্ষমতা ও খরচের মধ্য দিয়ে ক্রেতারা এর ফল দেখতে পাবেন।

মূল বিষয়গুলো

• উন্নত নোডে ২০৩০ সালে High-NA EUV-এর ব্যাপক উৎপাদন শুরু করতে চায় TSMC।
• ওয়েইয়ের মতে, প্রযুক্তিগত পরিপক্বতা ও যুক্তিসংগত খরচ সময় নির্ধারণের মূল বিবেচ্য; দেরিতে গ্রহণ করায় প্রতিযোগিতায় পিছিয়ে পড়ার আশঙ্কা নেই।
• প্রাথমিক উৎপাদনে বর্তমান ৬ ইঞ্চি মাস্ক ব্যবহার করা হবে।
• ১২ ইঞ্চি ফটোমাস্কের পাইলট লাইন ২০৩১ সালের মধ্যে এবং সহায়ক উৎপাদন ব্যবস্থা ২০৩৩ সালের মধ্যে প্রস্তুত করার লক্ষ্য TSMC ও ASML-এর।
• নির্বাচিত উৎপাদনস্তরে Intel High-NA ব্যবহার করেছে; Samsung-এর লক্ষ্য ২০২৮ সালে DRAM উৎপাদন।
• TSMC-এর High-NA চালুর আগে ২০২৮ সালে A14-এর ব্যাপক উৎপাদন শুরুর সময় নির্ধারিত।
• High-NA-তে প্রথম কোন প্রক্রিয়া নোড ব্যবহার হবে, কতটি যন্ত্র লাগবে বা কত খরচ সাশ্রয় হবে, তা TSMC এখনো জানায়নি।